1.一种超结二极管的制作方法，其特征在于，包括：
在硅衬底层上生长N型外延层；
刻蚀所述N型外延层形成沟槽；
向所述沟槽内注入P型离子，形成P型区域；所述P型区域与所述硅衬底层不接触；
淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，所述介质区域位于所述P型区域之上；
制备金属层，形成肖特基接触。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述N型外延层形成沟槽之前，还包括：
在所述N型外延层形成掩膜层，并刻蚀所述掩膜层形成至少一个注入窗口；
所述刻蚀所述N型外延层形成沟槽，包括：
根据所述注入窗口，刻蚀所述N型外延层形成沟槽；
所述淀积介质层之前，还包括：
去除所述N型外延层上的掩膜层。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介质区域的深度与所述沟槽的深度相同；
所述制备金属层，形成肖特基接触，包括：
在所述外延层表面和所述介质区域表面制备金属层，以使所述金属层与所述N型外延层形成肖特基接触。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介质区域的深度大于所述沟槽的深度；
所述制备金属层，形成肖特基接触，包括：
在所述外延层表面制备金属层，以使所述金属层与所述N型外延层形成肖特基接触。
5.如权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述介质区域 底部与所述硅衬底层之间的距离不小于20微米。
6.一种超结二极管，其特征在于，所述超结二极管至少包括：
设置于所述硅衬底层上的N型外延层；
设置于所述N型外延层内的至少一个P型区域以及位于所述P型区域上的介质区域；所述P型区域与所述硅衬底层不接触；
至少设置于所述N型外延层上的金属层。
7.如权利要求6所述的超结二极管，其特征在于，所述金属层仅设置于所述N型外延层表面。
8.如权利要求6所述的超结二极管，其特征在于，所述金属层设置于所述N型外延层表面和所述介质区域表面。
9.如权利要求6-8中任一项所述的超结二极管，其特征在于，所述介质区域底部与所述硅衬底层之间的距离不小于20微米。
10.如权利要求6-8中任一项所述的超结二极管，其特征在于，所述金属层为Ti、Pt、W、Ni、Au、Co、Pb、Ag、Al或其任意组合的合金。