技术总结
本发明实施例公开了一种超结二极管的制作方法及超结二极管。本发明实施例中通过刻蚀沟槽后，注入P型离子，形成P型区域，且P型区域与硅衬底层不接触；淀积介质层，并刻蚀形成介质区域，该介质区域位于P型区域之上，进而通过制备金属层，形成肖特基接触。本发明实施例中通过在N型外延层刻蚀沟槽并注入P型离子形成P型区域，使得该P型区域与N型外延层形成埋层超结结构。当肖特基二极管正向工作时，电流通过N型外延流向硅衬底层；反向工作时，超结结构的P型区域耗尽层展开，从而提高了肖特基二极管的耐压，减小了漏电。该制作方法的工艺较为简单，在降低器件制造成本的同时，提高了器件的性能。
技术研发人员：李理;马万里;赵圣哲;姜春亮
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510176854
技术研发日：2015.04.14
技术公布日：2016.11.23