1.一种自对准埋入式字线隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基板，其中所述半导体基板包括一阵列区及多个晶胞区位于所述阵列区中，其中所述晶胞区中的每一个包括两条字线；
形成一第一材料层于所述半导体基板上，其中所述第一材料层的上表面具有一凹口介于两个相邻的所述晶胞区之间；
形成一第二材料层于所述第一材料层上并填入所述凹口中，其中位于所述凹口底部的所述第二材料层具有一第一厚度，且位于所述晶胞区的所述第二材料层具有大于所述第一厚度的一第二厚度；
沿着所述凹口进行一第一蚀刻步骤穿过所述第一材料层及所述第二材料层，以在所述半导体基板中形成一字线隔离沟槽介于两个相邻的所述晶胞区之间，其中所述字线隔离沟槽的位置是对应于所述凹口的位置；以及
进行一第二蚀刻步骤，以扩大所述字线隔离沟槽的底部，其中所述字线隔离沟槽具有一上部及一扩大的底部。
2.如权利要求1所述的自对准埋入式字线隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一材料层的步骤包括：
形成一第一材料栅状膜层于所述半导体基板上，其中所述第一材料栅状膜层具有多个突出部对应于所述字线的位置；以及
沉积一第一材料于所述第一材料栅状膜层上，以形成具有所述凹口的所述第一材料层。
3.如权利要求2所述的自对准埋入式字线隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料为一氮化物，且所述第二材料为一氧化物。
4.如权利要求1所述的自对准埋入式字线隔离结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二材料层之前，所述凹口的顶部具有一第一口径，且所述凹口的底部具有大于或等于所述第一口径的一第二口径。
5.如权利要求1所述的自对准埋入式字线隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一蚀刻步骤为一非等向性蚀刻步骤，且所述第二蚀刻步骤为一等向性蚀刻步骤。
6.如权利要求1所述的自对准埋入式字线隔离结构的形成方法，其特征在于，还包括：
在进行所述第二蚀刻步骤之后，进行一掺杂步骤，以形成一掺杂区于所述半导体基板中且包围所述扩大的底部；以及
在进行所述掺杂步骤之后，填充一填充材料于所述字线隔离沟槽中。
7.一种自对准埋入式字线隔离结构，其特征在于，包括：
一半导体基板，包括一阵列区及多个晶胞区位于所述阵列区中，其中所述晶胞区中的每一个包括两条字线；
一字线隔离沟槽，位于两个相邻的所述晶胞区之间，其中所述字线隔离沟槽具有一上部及一扩大的底部；
一掺杂区，位于所述半导体基板中且包围所述扩大的底部；以及
一填充材料，填入所述字线隔离沟槽中。
8.如权利要求7所述的自对准埋入式字线隔离结构，其特征在于，还包括：
一周边电路区，相邻于所述阵列区，且其中所述字线及所述字线隔离沟槽并未设置于所述周边电路区中；
一浅沟隔离结构，位于所述阵列区及所述周边电路区中。
9.如权利要求7所述的自对准埋入式字线隔离结构，其特征在于，所述填充材料包括一绝缘材料。