技术总结
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池栅线、电极、背电场的制作工艺，其采用已经过制绒、化学清洗、扩散、刻蚀、去磷、PECVD等工艺处理后的晶体硅电池作为基材；采用A料替代现有工艺中的银浆，采用B料替代现有工艺中的铝浆；采用3D打印技术中的选择性激光烧结法制作晶体硅电池栅线、电极、背电场，工艺主要包括背面电极制作、背电场制作、正面栅线及正面电极制作。本发明具有以下优点：制成后的太阳能电池片透光面积大，电阻低，导电性强，光电转换效率高；制作过程中无化学物质排放，绿色环保；采用的微晶玻璃粉为无铅材料，不会污染环境；工艺简单，易于操作，生产效率高；原材料成本低。
技术研发人员：杨振民;杨嘉兴;白庆辉
受保护的技术使用者：杨振民;杨嘉兴;白庆辉
文档号码：201510420299
技术研发日：2015.07.17
技术公布日：2017.01.25