1.一种制造半导体封装的方法，其包括：
a)蚀刻金属片的第一侧形成带有一个或多个焊盘的引线框；
b)在所述第一侧上涂覆第一保护层；
c)蚀刻所述金属片的第二侧以形成一个或多个导电引出端；以及
c)在所述第二侧上涂覆第二保护层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个焊盘包括柱结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个焊盘处于高于附接到所述引线框的裸片位置的位置。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个焊盘形成用于适配裸片于其中的腔体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个导电引出端位于附接到所述引线框的裸片之下。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个导电引出端没有一个位于附接到所述引线框的裸片之下。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述引线框包括从所述一个或多个导线接合焊盘至所述一个或多个导电引出端的导电通路。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述一个或多个导线接合焊盘和所述一个或多个导电引出端之间的导电迹线。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括耦接裸片至所述引线框。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括填充位于附接到所述引线框的裸片之下的腔体。
11.根据权利要求1所述的方法，还包括电镀所述一个或多个焊盘。
12.一种半导体封装，其包括：
a)引线框的第一端部上的第一柱结构；
b)所述引线框的第二端部上的第二柱结构；
c)所述第一柱和所述第二柱之间的腔体；以及
d)所述腔体内与所述引线框物理耦接的裸片。
13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述柱高于所述裸片。
14.根据权利要求12所述的半导体封装，还包括包封所述第一柱的侧壁、所述第二柱的侧壁和所述裸片的第一制模材料。
15.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述第一柱与第一导线接合焊盘耦接。
16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述引线框与第二导线接合焊盘耦接。
17.一种形成半导体封装的方法，其包括：
a)蚀刻金属片以形成成形的引线框；
b)在所述引线框上涂覆具有预定厚度的掩模至所述成形的引线框上的第一预定区域，以形成具有预定深度的一个或多个孔；以及
c)沉积导电材料至所述孔。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述导电材料形成柱结构。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述柱结构具有接近所述掩模的厚度的高度。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述沉积包括电镀。
21.一种检测半导体封装的方法，其包括：
a)电耦合第一半导体封装与第二半导体封装，其中所述第二半导体封装包括包封除了在一侧上的至少两个接触点和相对侧上的一个或多个接触点外的整个所述第二半导体封装的保护层；以及
b)从所述第二半导体封装发送电信号至所述第一半导体封装。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一半导体封装包括BGA、QFN或WLCSP封装。