1.一种封装基板，其特征在于，包括：
本体，具有相对的置晶面以及植球面且包括凹陷于所述植球面的多个开口；
多个导通孔，贯穿所述本体且连接所述多个开口；
多个芯片接垫，配置于所述置晶面且分别电性连接于所述多个导通孔；
多个焊球接垫，分别位在所述本体中靠近所述植球面的所述多个开口处且电性连接于所述多个导通孔；以及
金属抗蚀层，覆盖各所述焊球接垫上的局部位置且外露于所述植球面的所述多个开口，各所述焊球接垫的直径大于对应的所述开口的直径，且所述本体包覆各所述焊球接垫上未被所述金属抗蚀层覆盖的部位。
2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述金属抗蚀层包括金层，且所述金属抗蚀层的厚度约在0.2微米至0.4微米之间。
3.根据权利要求2所述的封装基板，其特征在于，所述金属抗蚀层还包括镍层，位在所述金层与所述多个焊球接垫之间。
4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述多个焊球接垫与所述金属抗蚀层凹陷于所述植球面。
5.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
封装基板，包括：
本体，具有相对的置晶面以及植球面且包括凹陷于所述植球面的多个开口；
多个导通孔，贯穿所述本体且连接所述多个开口；
多个芯片接垫，配置于所述置晶面且分别电性连接于所述多个导通孔；
多个焊球接垫，分别位在所述本体中靠近所述植球面的所述多个开口处且电性连接于所述多个导通孔；
金属抗蚀层，覆盖各所述焊球接垫上的局部位置且外露于所述植球面的所述多个开口，各所述焊球接垫的直径大于对应的所述开口的直径，且所述本体包覆各所述焊球接垫上未被所述金属抗蚀层覆盖的部位；
芯片，配置于所述本体的所述置晶面上且电性连接于所述多个芯片接垫；
包封体，覆盖于所述封装基板的所述置晶面与所述芯片；以及
多个焊球，配置于所述植球面的所述多个开口且连接于所述金属抗蚀层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属抗蚀层包括金层，且所述金属抗蚀层的厚度约在0.2微米至0.4微米之间。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述金属抗蚀层还包括镍层，位在所述金层与所述多个焊球接垫之间。
8.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述多个焊球接垫与所述金属抗蚀层凹陷于所述植球面，各所述焊球的部分伸入对应的所述开口。
9.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片以导线或是凸块连接于所述多个芯片接垫。
10.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：
绝缘层，配置在所述本体的所述置晶面上所述多个芯片接垫以外的区域。