技术总结
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，衬底表面具有鳍部和第一隔离层，第一隔离层表面低于鳍部的顶部表面；在第一隔离层表面形成第一掺杂层，第一掺杂层表面低于鳍部的顶部表面；在第一掺杂层表面以及鳍部的侧壁和顶部表面形成第一阻挡层；去除位于第二区域第一掺杂层表面的部分第一阻挡层以及第二区域的第一掺杂层，暴露出第二区域的部分鳍部侧壁；之后在第二区域暴露出的鳍部侧壁表面形成第二掺杂层；进行退火工艺；之后去除第一掺杂层、第一阻挡层和第二掺杂层；之后在第一隔离层表面形成第二隔离层，第二隔离层表面低于鳍部的顶部表面。形成的鳍式场效应晶体管性能改善。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510894481
技术研发日：2015.12.07
技术公布日：2017.06.13