技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，基底包括核心区和外围区，基底的核心区和外围区表面均包括鳍部以及位于鳍部之间的隔离结构，隔离结构的顶部表面低于鳍部的顶部表面；形成覆盖外围区鳍部侧壁的侧墙；向核心区和外围区的隔离结构内注入防穿通离子，防穿通离子扩散进入鳍部，在鳍部内形成防穿通层；进行退火工艺处理，以激活防穿通层。本发明通过在外围区鳍部侧壁形成侧墙，使外围区防穿通离子注入位置远离外围区鳍部，从而降低经扩散进入外围区鳍部底部的防扩散离子的浓度，降低外围区鳍部的防穿通层掺杂浓度，以提高所形成晶体管的性能，改善所形成半导体结构的性能和稳定性。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510904219
技术研发日：2015.12.09
技术公布日：2017.06.16