技术特征：
技术总结
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管和存储器芯片，其中高电子迁移率晶体管包括：基底；氮化镓层和氮化镓铝层，氮化镓层的一侧复合于基底的表层，氮化镓层的另一侧复合于氮化镓铝层的底部；氧化层，复合于氮化镓铝层的顶层，氧化层设置有至少三个贯通的接触孔；电极，电极包括漏极电极、栅极电极和源极电极，漏极电极、栅极电极和源极电极分别设置于对应的至少三个贯通的接触孔中对应的接触孔中。通过本发明的技术方案，降低了栅极电极和漏极电极之间的界面缺陷，提高了高电子迁移率晶体管的可靠性。
技术研发人员：刘美华;陈建国;林信南
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2015.12.31
技术公布日：2017.07.07