1.一种制造有机晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：
-在基底(1)上提供第一电极(2)，
-产生至少部分分配给所述基底(1)和/或至少部分分配给所述第一电极(2)的源极-漏极绝缘体(3)，
-产生分配给所述源极-漏极绝缘体(3)的第二电极(4)，
-在所述第一电极(2)、所述第二电极(4)和所述源极-漏极绝缘体(3)上沉积有机半导体层(5)，
-产生分配给所述有机半导体层(5)的栅极绝缘体(6)，以及
-提供分配给所述栅极绝缘体(6)的栅极(7)。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤中的至少一个：
-在沉积所述有机半导体层(5)之前产生分配给所述第二电极(4)的第二电极层(8a)，使得所述第二电极(4)至少部分地被所述第二电极层(8a)覆盖，和
-在沉积所述有机半导体层(5)之前产生分配给所述第一电极(2)的第一电极层(8b)，使得所述第一电极(2)至少部分地被所述第一电极层(8b)覆盖。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二电极层(8a)和/或所述第一电极层(8b)分别是掺杂层或注入改进层。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中通过物理气相沉积来产生所述第二电极层(8a)和/或所述第一电极层(8b)。
5.根据权利要求2或3所述的方法，其中通过溶液处理来产生所述第二电极层(8a)和/或所述第一电极层(8b)。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的方法，其中所述第二电极层(8a)和/或所述第一电极层(8b)包含电掺杂剂材料。
7.根据权利要求2～6中任一项所述的方法，其中所述第二电极层(8a)和/或所述第一电极层(8b)包含基质材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述基质材料是有机半导体材料。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中以下步骤中的至少一个包括光刻结构化的步骤：
-提供所述第一电极(2)的步骤，
-产生所述源极-漏极绝缘体(3)的步骤，
-产生所述第二电极(4)的步骤，
-产生所述第二电极层(8a)的步骤，
-产生所述第一电极层(8b)的步骤，
-产生所述栅极绝缘体(6)的步骤，以及
-产生所述栅极(7)的步骤。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一电极(2)具有第一子电极部并且所述第二电极(4)具有第二子电极部，所述多个子电极部布置在交叠子电极部的分开的组中，其中所述交叠子电极部的分开的组各自具有与至少一个第二子电极部交叠的至少一个第一子电极部。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中提供所述第一电极(2)的步骤包括以下步骤：
-沉积第一导电层，
-沉积第一光致抗蚀剂层，
-通过图案化所述第一光致抗蚀剂层来限定用于所述第一电极(2)的电极区域，由此提供第一光致抗蚀剂图案，
-蚀刻所述第一导电层，以及
-通过剥去工艺除去所述第一光致抗蚀剂图案，由此产生所述第一电极(2)。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中产生所述源极-漏极绝缘体(3)和所述第二电极(4)的步骤包括以下步骤：
-沉积第一绝缘层和第二导电层，
-沉积第二光致抗蚀剂层，
-通过图案化所述第二光致抗蚀剂层来限定用于所述第二电极(4)的电极区域，由此提供第二光致抗蚀剂图案，
-蚀刻所述第二导电层，
-蚀刻所述第一绝缘层，由此产生所述源极-漏极绝缘体(3)，
-通过剥去工艺除去所述第二光致抗蚀剂图案，由此产生所述第二电极(4)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中产生所述源极-漏极绝缘体(3)和所述第二电极(4)的步骤包括以下步骤：
-沉积第一绝缘层和第二导电层，
-沉积第二光致抗蚀剂层，
-通过图案化所述第二光致抗蚀剂层来限定用于所述第二电极(4)的电极区域，由此提供第二光致抗蚀剂图案，
-蚀刻所述第二导电层，
-蚀刻所述第一绝缘层(3)和所述光致抗蚀剂图案，由此产生所述源极-漏极绝缘体(3)和所述第二电极(4)。
14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中产生所述栅极绝缘体(6)和提供所述栅极(7)的步骤包括以下步骤：
-沉积第二绝缘层，由此产生所述栅极绝缘体(6)，
-在所述有机半导体层(5)上沉积第三导电层，
-沉积第三光致抗蚀剂层，
-通过图案化所述第三光致抗蚀剂层来限定用于所述栅极(7)的电极区域，由此提供第三光致抗蚀剂图案，
-蚀刻所述第二绝缘层和/或所述第三导电层，以及
-通过剥去工艺除去所述第三光致抗蚀剂图案，由此产生所述栅极(7)。
15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中产生所述源极-漏极绝缘体(3)的步骤包括各向异性蚀刻步骤。
16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中沉积所述有机半导体层(5)的步骤包括从溶液沉积。
17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中产生所述栅极绝缘体层(6)的步骤包括从溶液沉积。
18.一种有机晶体管，包含：
-在基底(1)上的第一电极(2)，
-至少部分分配给所述基底(1)和/或至少部分分配给所述第一电极(2)的源极-漏极绝缘体(3)，
-分配给所述源极-漏极绝缘体(3)的第二电极(4)，
-布置在所述第一电极(2)、所述第二电极(4)和所述源极-漏极绝缘体(3)上的有机半导体层(5)，
-分配给所述有机半导体层(5)的栅极绝缘体(6)，以及
-分配给所述栅极绝缘体(6)的栅极(7)。
19.根据权利要求18所述的晶体管，还包含以下层中的至少一个：
-第二电极层(8a)，所述第二电极层(8a)至少部分地覆盖所述第二电极(4)，和
-第一电极层(8b)，所述第一电极层(8b)至少部分地覆盖所述第一电极(2)。
20.根据权利要求17或19所述的有机晶体管，其中所述源极-漏极绝缘体(3)的边缘基本上与所述基底(1)正交。
21.根据权利要求18～20中任一项所述的有机晶体管，其中所述栅极绝缘体(6)基本上与所述源极-漏极绝缘体(3)一样厚。