锂电极、包含其的锂二次电池、包含锂二次电池的电池模块和锂电极的制备方法与流程
技术特征：
1.一种锂电极，包含：
锂金属层，所述锂金属层在表面上具有羟基；和
硅层，所述硅层设置在所述锂金属层上并且包含硅类化合物，
其中所述硅层的所述硅类化合物与接触所述硅层的下部膜的羟基形成共价键。
2.根据权利要求1所述的锂电极，还包含在所述锂金属层和所述硅层之间设置并且在表面上具有羟基的缓冲层，
其中所述硅层包含与所述缓冲层的所述羟基形成共价键的硅类化合物。
3.根据权利要求1所述的锂电极，其中所述硅类化合物是利用由以下化学式1表示的化合物制备的：
[化学式1]
其中，在化学式1中，
R1～R4中的一个或多个各自独立地为卤基、氨基或烷氧基，并且剩下的各自独立地为C1～C10烷基、羟基、具有两个以下的环的脂族环基、具有两个以下的环的芳族环基、或-L-(CF2)nCF3，L为直接的键或C1～C10亚烷基，且n为0～10的整数。
4.根据权利要求3的锂电极，其中所述硅类化合物是利用由以下化学式2～4中的至少一个表示的化合物制备的：
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
其中，在化学式2～4中，
L为直接的键或C1～C10亚烷基，且n为0～10的整数。
5.根据权利要求1所述的锂电极，其中所述硅层的水接触角为100°以上且160°以下。
6.根据权利要求1所述的锂电极，其中所述硅层的厚度为1nm以上且1μm以下。
7.根据权利要求2所述的锂电极，其中所述缓冲层包含硅氧烷类化合物。
8.根据权利要求2所述的锂电极，其中所述缓冲层包含聚二甲基硅氧烷。
9.根据权利要求2所述的锂电极，其中所述缓冲层的厚度为10nm以上且10μm以下。
10.一种锂二次电池，包含根据权利要求1～9中任一项所述的锂电极。
11.根据权利要求10所述的锂二次电池，其中所述锂电极为所述锂二次电池的锂电极。
12.根据权利要求10所述的锂二次电池，其中所述锂电极为所述锂二次电池的锂电极，所述电池包含：
正极；和
设置在所述锂电极和所述正极之间的电解质。
13.根据权利要求12所述的锂二次电池，其中所述电解质为其中浸入有所述锂电极和所述正极的电解液。
14.根据权利要求12所述的锂二次电池，还包含设置在所述锂电极和所述正极之间的隔膜。
15.根据权利要求12所述的锂二次电池，其中所述电解质为固体电解质膜或聚合物电解质膜。
16.一种电池模块，包含根据权利要求10所述的锂二次电池作为单元电池。
17.一种制备锂电极的方法，所述方法包括在表面上具有羟基的锂金属层上形成包含硅类化合物的硅层，
其中所述硅层的所述硅类化合物与接触所述硅层的下部膜的羟基形成共价键。
18.根据权利要求17所述的制备锂电极的方法，其中所述硅层的形成包括：准备包含硅类化合物的溶液，所述硅类化合物具有能够与羟基反应的取代基；和将所述溶液涂布在所述锂金属层的表面的至少一部分上。
19.根据权利要求17所述的制备锂电极的方法，其中所述硅层的形成包括：准备包含硅类化合物的溶液，所述硅类化合物具有能够与羟基反应的取代基；和将所述锂金属层浸入所述溶液中。
20.根据权利要求18或19所述的制备锂电极的方法，其中所述具有能够与羟基反应的取代基的硅类化合物由以下化学式1表示：
[化学式1]
其中，在化学式1中，
R1～R4中的一个或多个各自独立地为卤基、氨基或烷氧基，并且剩下的各自独立地为C1～C10烷基、羟基、具有两个以下的环的脂族环基、具有两个以下的环的芳族环基、或-L-(CF2)nCF3，L为直接的键或C1～C10亚烷基，且n为0～10的整数。
21.根据权利要求18或19所述的制备锂电极的方法，其中所述具有能够与羟基反应的取代基的硅类化合物由以下化学式2～4中的至少一个表示：
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
其中，在化学式2～4中，
L为直接的键或C1～C10亚烷基，且n为0～10的整数。
22.根据权利要求17所述的制备锂电极的方法，包括：
在所述锂金属层的表面上形成具有羟基的缓冲层；和
在所述缓冲层上形成包含与所述缓冲层的羟基形成共价键的硅类化合物的硅层。
23.根据权利要求22所述的制备锂电极的方法，其中所述缓冲层的形成包括：在所述锂金属层上形成缓冲层；和通过对所述缓冲层进行氧等离子体处理或紫外线/臭氧处理而在所述缓冲层的表面上引入羟基。
24.根据权利要求22所述的制备锂电极的方法，其中所述缓冲层的形成包括：在脱模性基材上形成缓冲层；和将所述缓冲层层压在所述锂金属层上。
25.根据权利要求17所述的制备锂电极的方法，包括：
在脱模性基材的表面上形成具有羟基的缓冲层；
在所述缓冲层上形成包含与所述羟基形成共价键的硅类化合物的硅层；和
除去所述脱模性基材，并且将所得物层压在所述锂金属层上。
26.根据权利要求25所述的制备锂电极的方法，其中所述缓冲层的形成包括：在脱模性基材的表面上形成缓冲层；和通过对所述缓冲层进行氧等离子体处理或紫外线/臭氧处理而在所述缓冲层的表面上引入羟基。
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