技术总结
一种碳化硅半导体装置(1)，其具有碳化硅基板(10)、栅绝缘膜(15)、栅电极(27)和层间绝缘膜(2)。碳化硅基板(10)具有主面(10a)。栅绝缘膜(15)设置在碳化硅基板(10)的主面(10a)上。栅电极(27)设置在栅绝缘膜(15)上。以覆盖栅电极(27)的方式设置层间绝缘膜(2)。层间绝缘膜(2)包含：第一绝缘膜(2a)，其与栅电极(27)接触、含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子；第二绝缘膜(2b)，其设置在第一绝缘膜(2a)上并且含有硅原子以及磷原子和硼原子中的至少一种；和第三绝缘膜(2c)，其含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子。第二绝缘膜(2b)具有与第一绝缘膜(2a)接触的第一面(2b1)、第一面(2b1)相反侧的第二面(2b2)、以及连接第一面(2b1)和第二面(2b2)的第三面(2b3)。第三绝缘膜(2c)与第二面(2b2)和第三面(2b3)中的至少一者接触。
技术研发人员：山田俊介;田中聪;滨岛大辅;木村真二;小林正幸;木岛正贵;滨田牧
受保护的技术使用者：住友电气工业株式会社;瑞萨电子株式会社
文档号码：201580051484
技术研发日：2015.08.31
技术公布日：2017.05.24