技术特征：
技术总结
本公开的实施例描述了用于相变存储器元件的阻挡膜技术和构造。在实施例中，装置包括多个相变存储器(PCM)元件，其中所述多个PCM元件中的单独的PCM元件包括：底部电极层、设置在所述底部电极层上的选择器件层、设置在所述选择器件层上的中间电极层、设置在所述中间电极层上的相变材料层、设置在所述相变材料上的顶部电极层、以及阻挡膜，所述阻挡膜包括IV族过渡金属、VI族过渡金属、碳(C)和氮(N)，所述阻挡膜设置在所述底部电极层与所述顶部电极层之间。可以描述和/或要求保护其它实施例。
技术研发人员：C·W·佩茨;Y·J·胡;D·W·柯林斯;A·麦克蒂尔
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.11.05
技术公布日：2017.08.01