包括平面层叠的半导体芯片的半导体封装的制作方法

文档序号:11136553阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体封装,该半导体封装包括:

基板;

彼此相邻地设置在所述基板的第一表面上方的第一半导体芯片和第二半导体芯片;

将所述第一半导体芯片和所述基板电联接的第一接合线;以及

插置在所述第二半导体芯片与所述基板之间的绝缘粘合剂,

其中,所述第一接合线被设置为穿过所述绝缘粘合剂。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,

其中,所述基板的所述第一表面包括设置有所述第一半导体芯片的第一区域以及设置有所述第二半导体芯片的第二区域,并且所述基板包括布置在与所述第一区域相邻的所述第二区域上方并且与所述第一接合线连接的多个第一接合指状物。

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中,所述基板还包括第一阻焊层,该第一阻焊层形成在所述第一表面上方并且具有第一开放区域,该第一开放区域暴露所述第一接合指状物以及所述第一表面的介于所述第一接合指状物之间的部分。

4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述第一开放区域被形成为设置在所述基板的所述第二区域中或者设置在所述基板的所述第二区域以及与所述第二区域相邻的外侧区域上方。

5.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述第一开放区域包括从由以下各项构成的组中选择出的任一个:单个第一开放区域,该单个第一开放区域被形成为暴露所有所述第一接合指状物以及所述第一表面的介于所述第一接合指状物之间的所述部分;多个第一开放区域,该多个第一开放区域各自被形成为成组地暴露预定数量的所述第一接合指状物以及所述第一表面的介于对应的第一接合指状物之间的部分;以及多个第一开放区域,该多个第一开放区域各自被形成为分别暴露所述第一接合指状物中的对应的一个第一接合指状物以及所述第一表面的与该对应的一个第一接合指状物相邻的一部分。

6.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述基板具有至少一个通风孔,所述至少一个通风孔被形成在所述第一开放区域中以穿过所述第一表面以及背离所 述第一表面的第二表面。

7.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述第一开放区域是利用所述绝缘粘合剂填充的。

8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中,所述绝缘粘合剂包括穿透晶片后侧层压PWBL膜。

9.一种半导体封装,该半导体封装包括:

基板,该基板包括:

第一表面,该第一表面具有并排地形成在彼此间隔开的位置处的第一区域和第二区域;

多个接合指状物,所述多个接合指状物被布置在所述第一表面上方,位于与所述第二区域的靠近所述第一区域的边缘相邻的位置处;以及

第一阻焊层,该第一阻焊层形成在所述第一表面上方并且具有第一开放区域,该第一开放区域暴露第一接合指状物以及所述第一表面的介于所述第一接合指状物之间的部分;

第一半导体芯片,该第一半导体芯片被设置在所述基板的所述第一表面的所述第一区域上方,并且具有面向所述基板的所述第一表面的下表面、背离所述下表面的上表面以及与所述上表面的与所述第一接合指状物相邻的边缘相邻地布置的多个第一接合焊盘;

第二半导体芯片,该第二半导体芯片被设置在所述基板的所述第一表面的所述第二区域上方,并且具有面向所述基板的所述第一表面的下表面以及背离所述下表面的上表面;

绝缘粘合剂,该绝缘粘合剂被插置在所述基板与所述第二半导体芯片之间;以及

多条第一接合线,所述多条第一接合线被形成为穿过所述绝缘粘合剂并且将所述基板的所述第一接合指状物和所述第一半导体芯片的所述第一接合焊盘电联接。

10.根据权利要求9所述的半导体封装,

其中,所述基板还包括与所述第一表面的背离所述第二区域的边缘相邻地布置的多个第二接合指状物,并且

其中,所述第一半导体芯片还包括与所述上表面的靠近所述第二接合指状物的另一边缘相邻地布置的多个第二接合焊盘。

11.根据权利要求10所述的半导体封装,该半导体封装还包括被形成为将所述基板的所述第二接合指状物和所述第一半导体芯片的所述第二接合焊盘电联接的多条第二接合线。

12.根据权利要求10所述的半导体封装,

其中,所述基板还包括第三接合指状物和第四接合指状物以及第五接合指状物当中的至少一组接合指状物,所述第三接合指状物和所述第四接合指状物与所述第二区域的与布置所述第一接合指状物所沿的所述第二区域的所述边缘基本上垂直的相应边缘相邻地布置,并且所述第五接合指状物与所述第二区域的背离所述第一区域的边缘相邻地布置,并且

其中,所述第二半导体芯片还包括第三接合焊盘至第五接合焊盘当中的至少一组接合焊盘,所述第三接合焊盘至所述第五接合焊盘与所述第二半导体芯片的所述上表面的分别靠近所述第三接合指状物至所述第五接合指状物的边缘相邻地布置。

13.根据权利要求12所述的半导体封装,该半导体封装还包括被形成为分别将所述基板的所述第三接合指状物至所述第五接合指状物与所述第二半导体芯片的所述第三接合焊盘至所述第五接合焊盘电联接的多条第三接合线至第五接合线。

14.根据权利要求9所述的半导体封装,其中,所述第一开放区域被形成为设置在所述基板的所述第二区域中或者设置在所述第二区域以及与所述第二区域相邻的外侧区域上方。

15.根据权利要求9所述的半导体封装,其中,所述第一开放区域包括从由以下各项构成的组中选择出的任一个:单个第一开放区域,该单个第一开放区域被形成为暴露所有所述第一接合指状物以及所述第一表面的介于所述第一接合指状物之间的所述部分;多个第一开放区域,该多个第一开放区域各自被形成为成组地暴露预定数量的所述第一接合指状物以及所述第一表面的介于对应的第一接合指状物之间的部分;以及多个第一开放区域,该多个第一开放区域各自被形成为分别暴露所述第一接合指状物中的对应的一个第一接合指状物以及所述第一表面的与该对应的一个第一接合指状物相邻的一部分。

16.根据权利要求9所述的半导体封装,其中,所述基板具有至少一个通风孔,所述至少一个通风孔被形成在所述第一开放区域中以穿过所述第一表面以及背离所述第一表面的第二表面。

17.根据权利要求16所述的半导体封装,其中,所述基板还包括形成在所述第二表面上方以使得所述通风孔被暴露的第二阻焊层。

18.根据权利要求9所述的半导体封装,其中,所述第一开放区域是利用所述绝缘粘合剂填充的。

19.根据权利要求18所述的半导体封装,其中,所述绝缘粘合剂包括穿透晶片后侧层压PWBL膜。

20.根据权利要求9所述的半导体封装,该半导体封装还包括:

粘附构件,该粘附构件被插置在所述基板与所述第一半导体芯片之间;以及

包封构件,该包封构件被形成在所述基板的所述第一表面上方以覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片以及所述第一接合线。

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