1.一种器件封装件，包括：
半导体管芯；
模塑料，沿着所述半导体管芯的侧壁延伸，其中，所述模塑料包括第一填充物；
平坦化的聚合物层，位于所述模塑料上方并且沿着所述半导体管芯的侧壁延伸，其中，所述平坦化的聚合物层包括比所述第一填充物更小的第二填充物；以及
一个或多个扇出式再分布层(RDL)，电连接至所述半导体管芯，其中，所述一个或多个扇出式RDL延伸经过所述半导体管芯的边缘至所述平坦化的聚合物层的顶面上。
2.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述第一填充物和所述第二填充物包括氧化硅、氧化铝、氮化硼或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的器件封装件，还包括：
贯通孔(TIV)，延伸穿过所述模塑料和所述平坦化的聚合物层，其中，所述TIV电连接至所述一个或多个扇出式RDL。
4.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述第一填充物包括大约25μm或以下的平均直径，并且所述第二填充物包括大约5μm或以下的平均直径。
5.根据权利要求4所述的器件封装件，其中，所述第二填充物的平均直径不大于所述第一填充物的平均直径的大约百分之五十。
6.根据权利要求1所述的器件封装件，其中，所述平坦化的聚合物层的平均厚度不大于所述模塑料的平均厚度的大约百分之二十。
7.一种器件封装件，包括：
半导体管芯；
模塑料，设置在所述半导体管芯周围；
平坦化的聚合物层，位于所述模塑料上方和所述半导体管芯周围；
贯通孔(TIV)，延伸穿过所述模塑料和所述平坦化的聚合物层；以及
扇出式再分布层(RDL)，位于所述半导体管芯和所述平坦化的聚合物层上方，其中，所述扇出式RDL电连接至所述半导体管芯和所述TIV。
8.根据权利要求7所述的器件封装件，其中，所述模塑料包括第一填充物，所述平坦化的聚合物层包括第二填充物，所述第二填充物小于所述第一填充物。
9.一种方法，包括：
在半导体管芯周围形成模塑料的第一部分，其中，所述模塑料的第一部分的顶面低于所述半导体管芯的顶面；
在所述模塑料和所述半导体管芯上方形成聚合物层，其中，所述聚合物层包括比所述模塑料中的第一填充物更小的第二填充物；
平坦化所述聚合物层，以暴露所述半导体管芯；以及
在所述聚合物层和所述半导体管芯上方形成扇出式再分布层(RDL)，其中，所述扇出式RDL电连接至所述半导体管芯。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述模塑料还包括在所述半导体管芯的顶面上形成所述模塑料的第二部分，平坦化所述聚合物层包括去除所述模塑料的第二部分。