1.一种用于半导体装置的堆叠件，所述堆叠件包括：
多个牺牲层，每个牺牲层包括第一晶格参数；
至少一个沟道层，包括与第一晶格参数不同的第二晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触；以及
下层，所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层设置在其上，牺牲层与下层接触，下层包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。
2.根据权利要求1所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，除了存在于下层中的缺陷向着所述堆叠件中的任何扩展，下层在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层中基本上不产生任何缺陷。
3.根据权利要求1所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，所述至少一个沟道层包括第一端和第二端，
所述堆叠件还包括设置在所述至少一个沟道层的第一端和第二端中的每端处并与所述至少一个沟道层的第一端和第二端中的每端接触的源/漏结构。
4.根据权利要求1所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，第一晶格参数大于第二晶格参数。
5.根据权利要求1所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，第一晶格参数小于第二晶格参数。
6.根据权利要求1所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，每个牺牲层包括第一端、第二端和第一厚度，第一厚度与牺牲层的第一端与第二端之间的方向基本垂直，每个牺牲层的第一厚度小于牺牲层材料的亚稳临界厚度，
其中，每个沟道层包括第一端、第二端和第二厚度，第二厚度与沟道层的第一端与第二端之间的方向基本垂直，每个沟道层的第二厚度小于沟道层材料的亚稳临界厚度。
7.根据权利要求6所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，所述多个牺牲层中的至少一个牺牲层的第一端与第二端之间的第一距离小于所述至少一个沟道层的第一端与第二端之间的第二距离。
8.根据权利要求1所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，所述多个牺 牲层包括至少一个纳米片，
其中，所述至少一个沟道层包括至少一个纳米片。
9.根据权利要求1所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，所述多个牺牲层包括至少一个纳米线，
其中，所述至少一个沟道层包括至少一个纳米线。
10.一种用于半导体装置的堆叠件，所述堆叠件包括：
多个牺牲层，每个牺牲层包括第一晶格参数、第一端、第二端和截面区域，该截面区域在与每个牺牲层的第一端与第二端之间的方向基本垂直的方向上被定位，每个牺牲层的截面区域包括第一厚度和与第一厚度基本垂直的第一宽度，每个牺牲层的第一厚度小于牺牲层材料的亚稳临界厚度；
至少一个沟道层，包括第二晶格参数、第一端、第二端和截面区域，该截面区域在与所述至少一个沟道层的第一端与第二端之间的方向基本垂直的方向上被定位，第二晶格参数不同于第一晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触，每个沟道层的截面区域包括第二厚度和与第二厚度基本垂直的第二宽度，每个沟道层的第二厚度小于沟道层材料的亚稳临界厚度；以及
下层，所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层设置在其上，牺牲层与下层接触，除了存在于下层中的缺陷向着所述堆叠件中的任何扩展，下层在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层中基本不产生任何缺陷。
11.根据权利要求10所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，下层还包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。
12.根据权利要求10所述的用于半导体装置的堆叠件，所述堆叠件还包括设置在所述至少一个沟道层的第一端和第二端中的每端处并与所述至少一个沟道层的第一端和第二端中的每端接触的源/漏结构。
13.根据权利要求10所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，第一晶格参数大于第二晶格参数。
14.根据权利要求10所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，第一晶格参数小于第二晶格参数。
15.根据权利要求10所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，所述多个 牺牲层包括至少一个纳米片，
其中，所述至少一个沟道层包括至少一个纳米片。
16.根据权利要求10所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，所述多个牺牲层包括至少一个纳米线，
其中，所述至少一个沟道层包括至少一个纳米线。
17.根据权利要求10所述的用于半导体装置的堆叠件，其中，所述多个牺牲层中的至少一个牺牲层的第一端与第二端之间的第一距离小于所述至少一个沟道层的第一端与第二端之间的第二距离。
18.一种形成用于半导体装置的堆叠件的方法，所述方法包括：
提供下层；
在下层上形成多个牺牲层和至少一个沟道层的堆叠件，牺牲层与下层接触，每个牺牲层包括第一晶格参数，所述至少一个沟道层包括与第一晶格参数不同的第二晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触，
下层包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，除了存在于下层中的缺陷向着所述堆叠件中的任何扩展，下层在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层中基本不产生任何缺陷。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述至少一个沟道层包括第一端和第二端，
所述方法还包括形成源/漏结构，所述源/漏结构设置在所述至少一个沟道层的第一端和第二端中的每端处并与所述至少一个沟道层的第一端和第二端中的每端接触。