具有半岛式接地点的互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及具有半岛式接地点的互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法。

背景技术：

大多数销售给一般消费者的数字相机基于CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器，因为CMOS图像传感器可用于低成本大量生产。CMOS图像传感器在晶圆级制造于硅基板上且所述制造包括适当地掺杂所述晶圆的不同空间区域以产生具不同掺杂类型与程度的局部特性，意即不同程度的p型掺杂(正荷载子)和不同程度的n型掺杂(负电荷载子)。

CMOS图像传感器的每一像素具有用于响应入射光产生电荷的光二极管。所述光二极管与一组用于读出所述电荷以产生图像讯号且于读出后重置所述像素的晶体管耦合。通常来说，三个或更多晶体管合作以读出所述电荷并重置所述像素。所述晶体管形成于相邻的所述光二极管的硅基板上/内并经由浅沟槽隔离与所述周遭组件距离一个或多个“岛”。浅沟槽隔离为以介电质填充的蚀刻沟槽。

消费者已习惯于数字照相产生良好图像质量，且对更高空间分辨率的需求正在增加。为满足这种需求，CMOS图像传感器被制造成为具有非常大量的像素，其导致基板上位于中间的像素与像素数组边界之间的显著的横向阻力。因此，周边的接地点无法为整个像素数组提供一致的接地平面。此问题可通过在每一像素放置接地点而予以克服。

技术实现要素：

在实施例中，一种具有半岛式接地点的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器包括(a)具有排列成像素单元列的多个像素单元的基板与(b)用于将所述像素单元接地的多个接地点。所述接地点分别形成于相对应的所述像素单元内的所述基板的各半岛区域中。所述半岛区域的每个由浅沟槽隔离而仅部分地封闭且所述半岛区域具有沿着所述像素单元的每列的交替的方向。

在实施例中，一种用于制造具有半岛式接地点的CMOS图像传感器的方法包括在基板上制造浅沟槽隔离以形成多个平行列的晶体管区域，使得所述晶体管区域的每一区域包括(a)至少一个用于容纳一个或多个晶体管的岛与(b)用于容纳接地点的半岛区域。所述至少一个岛的每个由所述浅沟槽隔离的部分完全地封闭。所述半岛区域由所述浅沟槽隔离的部分而仅部分地封闭且所述半岛区域的方向沿着每列交替。

附图说明

图1根据实施例绘示具有半岛式接地点的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

图2A与2B根据实施例绘示具有半岛式接地点的晶体管区域。

图3根据实施例绘示示例性晶体管区域，其具有与半岛式接地点连接的连接且所述连接比所述半岛式接地点宽。

图4根据实施例绘示CMOS图像传感器，其具有位于相同朝向的半岛区域中的半岛式接地点。

图5根据实施例绘示CMOS图像传感器，其具有位于与半岛区域相反的岛中的接地点。

图6根据实施例绘示CMOS图像传感器，其具有位于交替方向的半岛区域中的半岛式接地点。

图7根据实施例显示具有半岛式接地点的4T像素单元的功能组件的布局。

图8A与8B根据实施例进一步详细绘示图7的所述4T像素单元的所述晶体管区域。

图9根据实施例绘示用于制造具有半岛式接地点的CMOS图像传感器的方法。

具体实施方式

图1绘示示例性的具有半岛式接地点162的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器100。图1所示图像传感器100为示例性情境描述，其中所述图像传感器100实施于电子相机190中，用于通过电子相机190捕捉图像。图像传感器100包括具有用于检测入射至图像传感器100的光接收表面180的光的多个像素单元110的基板170。为说明的清楚起见，并非图像传感器内的所有像素单元都被标示。如特写195所示，每一像素单元110包括一个或多个光二极管122、一个或多个晶体管152以及接地点162。特写195沿着与光接收表面180垂直的检视方向显示像素单元110。每个光二极管122位于光二极管区域120。每个晶体管152位于晶体管区域130。晶体管区域130沿着光二极管区域的一侧布置。接地点162也位于晶体管区域130。在每个像素单元110之中，每个光二极管122与晶体管152和接地点162配合以形成图像传感器100的一个像素。在一个实施例中，光二极管区域120包括仅单个光二极管122。在另一实施例中，光二极管区域120包括两个或更多光二极管122，例如四个光二极管122。

晶体管区域130包括浅沟槽隔离140形成岛150与半岛区域160。半岛区域160被浅沟槽隔离140仅部分地围绕。此处的“岛”指基板170的部分被浅沟槽隔离140完全围绕，而“半岛区域”指基板170的部分被浅沟槽隔离140仅部分地围绕。在图1所示的所述实施例中，半岛区域160呈矩形，其中浅沟槽隔离140沿着矩形的三边，而沿矩形的第四边没有浅沟槽隔离140。不脱离本发明的范围，半岛区域160可有不同于矩形的形状和/或半岛区域160可比图1所示的被浅沟槽隔离围绕更多或更少。例如，半岛区域160可为矩形、具有沿着所述矩形的三边的全部范围的浅沟槽隔离140，且额外具有沿着所述矩形的第四边的部份的浅沟槽隔离140。

在一个实施例中，基板170普遍为p型掺杂且接地点162为半岛区域160的p+型掺杂部分，其中所述“p+”标示比基板170邻近周边更高的p型掺杂。在另一实施例中，基板170普遍为n型掺杂且接地点162为半岛区域160的n+型掺杂部分，其中所述“n+”标示比基板170邻近周边更高的n型掺杂。在一个实施例中，基板170基本上为硅。在另一实施例中，基板170基本上为硅或硅衍生物。在又另一实施例中，基板170基本上为锗和/或硅锗合金。

利用置放于晶体管区域130的接地点162，图像传感器100的所述配置非常适合应用于高分辨率图像传感器。每个像素单元110有其自己的接地点162以使得像素单元110横跨图像传感器100一致或至少近乎一致地接地。此外，高分辨率图像传感器通常有相对小的像素用以在实际的区域内容纳所需的大量像素。在一示例性实施例中，每个像素单元110包括四个光二极管122，其每个的尺寸大小约为1微米乘1微米，使得光二极管区域120的尺寸大小约为2微米乘2微米。利用如此小尺寸且几乎完全被光二极管122占据(以及其它位于光二极管区域120中的半导体组件)的光二极管区域120，光二极管区域120内的接地点162的置放将可能导致接地点162的掺杂特性危害像素单元110内的一个或多个光二极管122的性能。图像传感器100改为将接地点162置放于晶体管区域130内。

如下述进一步讨论，与在被浅沟槽隔离140完全围绕的岛相反，接地点162置放于半岛区域160有利于改善晶体管区域130的空间使用而不造成可能因接地点置放于小岛而产生的应力诱发噪声。

尽管未示于图1，不脱离本发明的范围，光二极管区域120可包括一个或多个晶体管，例如每个光二极管122有传输栅极(transfer gate)。而且，不脱离本发明的范围，光二极管区域120可包括任何大于零的数量的光二极管122，且晶体管区域130可包括任何大于零的数量的晶体管152。此外，如下方图8A与8B所示的示例，浅沟槽隔离140可于晶体管区域130上形成两个或更多个岛150，其中所述两个或更多个岛150的每个包括至少一个晶体管152。不脱离本发明的范围，接地点162可占用比图1所示更多或更少的半岛区域160。也不脱离本发明的范围，图像传感器100可包括与图1所示不同数量的像素单元110。在一示例中，图像传感器100包括成千上百列的像素单元110，其中所述每列包括成千上百的像素单元110。

在某些特定实施例中，光二极管区域120中的每个光二极管122只与位于晶体管区域130中的晶体管152相关联，并且选择性地也与(a)位于光二极管区域120内的一个或多个晶体管和/或(b)与图像传感器100分离的一个或多个晶体管相关联。在此实施例中，来自每个光二极管122的图像信号的读出利用光二极管区域120的由晶体管区域130占据的所述侧而非利用位于相邻于光二极管区域120的其它侧的晶体管。

图2A与2B绘示示例性晶体管区域230，其为晶体管区域130的实施例。图2A在与用于图1的晶体管区域130的同一视图中显示晶体管区域230。图2B在沿图2A的线2B-2B的剖视图中显示晶体管区域230。图2A与2B最好同时检视。

晶体管区域230被拉长并具有长边282与短边284。晶体管区域230将接地点162实施为跨越半岛区域160的宽286的接地点262，其中所述宽286平行于长边282，使得接地点162从浅沟槽隔离140的一部份横跨半岛区域160到浅沟槽隔离140的另一部份。既然接地点262跨越宽286，宽286可选择为比半岛区域的所述宽小，所述半岛区域比接地点262的跨越大。这最小化了用于容纳接地点262的沿着晶体管区域230的长边282的范围。

在晶体管区域230，基板170被实施为具有p型掺杂井220的p型掺杂外延晶硅210，其中所述p型掺杂井220比p-型掺杂外延晶硅210有更高的掺杂。接地点262为p+型掺杂。浅沟槽隔离140位于p型掺杂井220内。晶体管区域230包括具有接触接地点262的连接264的连接层240。举例来说，连接264为金属。连接264可匹配接地点262的宽286、比接地点262小或比接地点262大。

晶体管区域230可将一个或多个晶体管152的每个实施为嵌入于p型掺杂井220的两个n型掺杂部分252以及在所述两个n型掺杂部分252之间横跨的多晶硅栅极254。连接层240包括用于晶体管152的连接256。举例来说，连接256为金属。为说明的清楚起见，连接264与晶体管152的组件并未示于图2A。不脱离本发明的范围，浅沟槽隔离140可延伸跨越所有长边282如图4与6所示。

在可选的实施例中，晶体管区域230的所述掺杂特性为相反的，因此p型掺杂外延晶被替换为n型掺杂外延晶硅、p型掺杂井替换为n型掺杂井、接地点262被替换为n+型掺杂接地点，诸如此类地替换晶体管区域230的所有组件。

图3绘示具有至接地点262的连接364的示例性晶体管区域330，其比接地点262宽。晶体管区域330为晶体管区域230的实施例，且连接364为连接264的实施例。连接364有沿着长边282的宽386。宽386比宽286来得长，使得连接364在半岛区域160沿着长边232的两侧延伸跨越浅沟槽隔离140。

图4绘示具有位于相同朝向的半岛区域160中的半岛式接地点162的示例性CMOS图像传感器400。图像传感器400包括置放为形成光二极管区域120的列与晶体管区域430的列的多个像素单元410。像素单元410为像素单元110的实施例。晶体管区域430为晶体管区域130的实施例，其中浅沟槽隔离140跨越晶体管区域130的全部宽度使得浅沟槽隔离140形成跨越晶体管区域430的每列的连续的浅沟槽隔离。晶体管区域430可实施为晶体管区域230或晶体管区域330。所有像素单元410被相同地排列，使得半岛区域160具有与所有像素单元410相同的方向。

为说明的清楚起见，图4并未标示出所有像素单元410与其组件。不脱离本发明的范围，图像传感器400可包括与图4所示的数量不同的像素单元410。在一示例中，图像传感器400包括成千上百列的像素单元410，其中所述每列包括成千上百的像素单元410。

用以比较，图5绘示具有位于与半岛区域160相反的岛540中的接地点560的CMOS图像传感器500。图像传感器500与图像传感器400相似，除了图像传感器500实施包括晶体管区域530的像素单元510。晶体管区域530与晶体管区域430相似，除了半岛区域160被岛540取代。在岛540的宽586小的实施例中，对应于小的宽286，在岛150与岛540上都有由较小数值的宽586造成的过度应力。所述应力影响下方的基板(如基板170)的晶体结构以及基板和浅沟槽隔离140间的接口，导致不必要的移动与固定的电荷载子因此在像素单元510生成的图像信号中引起噪声。

与此相反，中断图像传感器100与图像传感器400的半岛区域160处的浅沟槽隔离140的“桥”(于图4中标示为椭圆形480)至少部分地释放所述应力以减少或消除这类应力诱发的噪声。

图6绘示具有位于交替方向的半岛区域160中的半岛式接地点162的示例性CMOS图像传感器600。图像传感器600为图像传感器100的实施例，并且与图像传感器400相似除了交替半岛区域160的方向。图像传感器600包括多个像素单元410与像素单元610。像素单元610为像素单元110的实施例并与像素单元410相似，除了实施具有与像素单元410中半岛区域160的方向相反的半岛区域160的晶体管区域630。晶体管区域630则与晶体管区域430相似。

像素单元410与像素单元610排列成列置放以形成光二极管区域120的列以及晶体管区域430与630的列，其中所述晶体管区域430与630沿此每列交替。因此，沿晶体管区域430与630的每列的半岛区域160的方向在有(a)在垂直于晶体管区域430与630的列的方向690上中断浅沟槽隔离140的桥680和(b)在垂直于晶体管区域430与630的列且与方向690相反的另一方向692上中断浅沟槽隔离140的桥682之间交替。

由于沿晶体管区域430与630的每列交替半岛区域160的方向，任何由接地点162和/或半岛区域160引入的方向性偏差噪声从晶体管430与630的列的上方或下方在影响光二极管信号之间交替。若存有此方向性偏差噪声，被图像传感器600捕捉的图像可包括方向性偏差噪声的相对均匀分布。另一方面，在被图像传感器400捕捉的图像中，所述方向性偏差噪声可表现为线。

为说明的清楚起见，并非所有像素单元410与610或其组件都标示于图6。不脱离本发明的范围，图像传感器600可包括与图5所示不同数量的像素单元410与610。在一示例中，图像传感器400包括成千上百列的像素单元410/610，其中每列包括成千上百个像素单元410/610。

不脱离本发明的范围，CMOS图像传感器600很容易扩展成依据不同的变换方案配置的晶体管区域430与630的每列。例如，晶体管区域430与630的每列可配置成一系列的晶体管区域430、430、630、630、430、430、630、630等等，而非配置成一系列的晶体管区域430、630、430、630等等。在另一实施例中，晶体管区域430与630的每列具有随机或近乎随机分布的晶体管区域430与630。

图7显示具有半岛式接地点262的示例性4T像素单元700的功能组件的布局。像素单元700为像素单元110的实施例。像素单元700包括位于光二极管区域720的四个光二极管122。每个光二极管122有边长726。例如边长726在1.0与1.2微米之间。光二极管区域720为光二极管区域120的实施例。光二极管区域720进一步包括浮动扩散区域(floating diffusion region)724以及四个传输栅极722。每个传输栅极722接触浮动扩散区域724以及各自的光二极管122。

像素单元700还包括半岛式接地点262、源极随耦器晶体管(source follower transistor)、列选择晶体管(row select transistor)以及位于晶体管区域730的重置晶体管(reset transistor)。晶体管区域730为晶体管区域230的实施例。所述源极随耦器晶体管由n型掺杂部分752(1)与752(2)以及跨越其间的多晶硅源极随耦器(SF)栅极732形成。所述列选择晶体管由n型掺杂部分752(2)与752(3)以及跨越其间的多晶硅列选择(RS)栅极734形成。所述重置晶体管由n型掺杂部分752(4)与752(5)以及跨越其间的多晶硅重置(RST)栅极736形成。SF栅极732与n型掺杂部分752(4)与浮动扩散区域724通信耦合。晶体管区域730进一步包括用于n型掺杂部分752(1～5)、SF栅极732、RS栅极734以及RST栅极736的连接264与连接256。为说明的清楚起见，图7并未显示所有的连接256。SF栅极732、RS栅极734以及RST栅极736的每个为多晶硅栅极254的实施例。所述源极随耦器晶体管、所述列选择晶体管以及所述重置晶体管的每个为晶体管152的实施例。

图8A与8B进一步详细绘示晶体管区域730。图8A以和图2A中使用的相同视图显示晶体管区域730。图8B在沿图8A的线8B-8B的剖视图中显示晶体管区域730。此视图与图2B所用的视图类似。图8A与8B最好一起检视。晶体管区域730可被实施于图像传感器100、图像传感器400与图像传感器600内。

晶体管区域730包括浅沟槽隔离140，所述浅沟槽隔离用于形成(a)容纳所述源极随耦器晶体管与所述列选择晶体管的岛850，(b)容纳所述重置晶体管的岛852以及(c)容纳接地点262的半岛区域160。为说明的清楚起见，并非所有组件皆标示于图8A中。

SF栅极有宽886，而半岛区域160与接地点262有宽286。在实施例中，宽286小于0.15微米而宽886至少为0.4微米。在所述实施例的一个示例中，边长726介于1.0与1.2微米之间。在此示例中，若宽286大于0.15微米，所述晶体管区域730的元件将无法适配入与光二极管区域720的宽相似的宽的空间内而不牺牲宽886的范围。若宽886减小，随机电报噪声增加。由于半岛区域160与接地点262，晶体管区域730有利于置放接地点于像素单元700中而不遭受因不足的宽886所造成的增大的随机电报噪声。

不脱离本发明的范围，浅沟槽隔离140可延伸跨越晶体管区域730的全部宽，如同参照图2A与2B对晶体管区域230的讨论。亦不脱离本发明的范围，晶体管相对于彼此的顺序和/或半岛区域160相对于岛850和852的顺序可和图8A与8B所示的顺序不同。例如，半岛区域160可位于岛850的左方(在图8A与8B的视图中)或位于岛850和852之间。同样地，所述源极随耦器晶体管与所述列选择晶体管的顺序可相反。

在可选实施例中，晶体管区域230的所述掺杂特性相反，如同参照图2A与2B对晶体管区域230的讨论。

图9绘示用于制造具有半岛式接地点的CMOS图像传感器的示例性方法900。例如方法900用于制造CMOS图像传感器100。

在步骤910中，在硅基板(或在可选的基板如锗或硅锗合金)中制造浅沟槽隔离以形成多列晶体管区域，其中所述每个晶体管区域包括(a)至少一个用于容纳一个或多个晶体管的岛以及(b)用于容纳接地点的半岛。在步骤910的一个示例中，在基板170中制造浅沟槽隔离140以形成一个或多个岛150以及半岛区域160。可使用本领域中已知的方法制造浅沟槽隔离140。

步骤910可包括沿着所述列交替半岛区域160的方向的步骤912。在步骤912的一个示例中，根据图6所示的配置而形成浅沟槽隔离140。

可选择地，步骤910包括制造具有宽小于0.15微米的所述半岛区域的步骤914。在步骤914的一个示例中，半岛区域160制造成具有小于0.15微米的宽286。

在某些实施例中，方法900进一步包括步骤920，所述步骤920以与所述基板的大多数相同的掺杂剂掺杂每个半岛区域的至少部份以形成比基板的周遭部分有更高掺杂的接地点。在步骤920的一个示例中，半岛区域160的部分为p型掺杂以在p型掺杂井220内产生p+型掺杂接地点262。可使用本领域中已知的重要方法进行步骤920。

可选择地，在步骤920之后有形成至接地点的连接的步骤930。在步骤930的一个示例中，连接264形成于接地点262上。在步骤930的另一示例中，连接364形成于接地点262以及一些周围的浅沟槽隔离140上。步骤930可运用本领域已知的沉积方法。

方法900可包括在每个体管区域的一个或多个岛内和上形成晶体管的步骤940。在步骤940的一个示例中，一个或多个晶体管152形成于一个或多个岛150的每个中。

步骤940后可为形成至步骤940中所形成的所述晶体管的连接的步骤950。在步骤940的一个示例中，连接256使用本领域已知的方法形成于一个或多个晶体管的元件上，如图2B所示。步骤940与930可同时进行使得连接层240在一个步骤中形成。

特征的组合

上述与之后专利申请的特征可依不同方式组合而不脱离本发明的范围。例如，应当理解，本文所述的具有半岛式接地点的CMOS图像传感器或其制造方法的各方面可与本文所述的另一具有半岛式接地点的CMOS图像传感器或其制造方法相结合或交换特征。下列示例说明上述实施例的一些可能的但非限制性的组合。应当清楚的是，本文所述的系统与方法可有其它变化与修改，而不脱离本发明的范围。

(A1)一种具有半岛式接地点的CMOS图像传感器可包括(a)具有排列成像素单元列的多个像素单元的基板以及(b)用于将所述像素单元接地的多个接地点，其中所述接地点分别形成于相对应的所述像素单元内的所述基板的各半岛区域中，且所述半岛区域的每个由浅沟槽隔离而仅部分地封闭。

(A2)在表示为(A1)的CMOS图像传感器中，所述半岛区域可有沿着所述像素单元的每列交替的方向。

(A3)在表示为(A1)与(A2)中的任一CMOS图像传感器中，所述接地点的每个从所述浅沟槽隔离的一部分可跨越相对应的所述半岛区域延伸至所述浅沟槽隔离的另一部分。

(A4)在表示为(A1)至(A3)中的任一CMOS图像传感器中，所述半岛区域的每个区域具有小于0.15微米的短边。

(A5)在表示为(A1)至(A4)中的任一CMOS图像传感器中，所述接地点的每个可被掺杂以与所述基板的大多数相同型式的掺杂剂，所述掺杂剂的型式选自p型掺杂剂与n型掺杂剂组成的群组。

(A6)在表示为(A5)的CMOS图像传感器中，所述接地点的每个可比基板的周遭部分有更高的掺杂。

(A7)在表示为(A1)至(A6)中的任一CMOS图像传感器中，所述多个像素单元可包括相对应的多个光二极管区域，其每个区域可包括至少一个光二极管。

(A8)在表示为(A7)的CMOS图像传感器中，所述多个像素单元可进一步包括相对应的多个晶体管区域，其每个区域包括(a)相对应的接地点以及(b)与至少一个光二极管通信耦合的至少一个晶体管。

(A9)在表示为(A8)的CMOS图像传感器中，所述晶体管区域的每个区域可为具有长边与短边的长矩形，其中所述长边与所述光二极管区域中的相对应者的相邻边平行。

(A10)在表示为(A9)的CMOS图像传感器中，所述晶体管区域的每个区域内，相对应的所述接地点的可位于所述长边的最末端。

(A11)在表示为(A9)与(A10)中的任一CMOS图像传感器中，所述多个像素单元可被排列成矩形阵列，其中所述光二极管区域排列成所述矩形阵列的多个第一列以及所述晶体管区域排列成所述矩形阵列的多个第二列，其中所述第一列与第二列平行且所述第一列与第二列沿着垂直于所述第一列的方向交替变换。

(A12)在表示为(A11)的CMOS图像传感器中，所述半岛区域可有沿着所述第二列的每列交替的方向。

(A13)在表示为(A1)至(A12)中的任一CMOS图像传感器中，在像素单元的每列之内，所述半岛区域可在(a)具有垂直于所述像素单元列的第一方向上中断所述浅沟槽隔离的桥以及(b)具有在与所述第一方向相反的第二方向上中断所述浅沟槽隔离的桥之间交替。

(A14)在表示为(A1)至(A13)中的任一CMOS图像传感器中，所述接地点的每个可从所述浅沟槽隔离的一部分在平行于所述像素单元列的方向上跨越相对应的所述半岛区域延伸到所述浅沟槽隔离的另一部分。

(A15)在表示为(A8)至(A14)中的任一CMOS图像传感器中，所述晶体管区域的每个区域可为具有长边与短边的长矩形，其中所述长边与所述光二极管区域中的相对应者的相邻边平行。

(A16)在表示为(A15)的CMOS图像传感器中，所述半岛区域的每个区域可有小于0.15微米的长边。

(A17)在表示为(A15)与(A16)中的任一CMOS图像传感器中，所述晶体管区域的每个区域可包括具有栅极的长边至少0.4微米的源极随耦器晶体管。

(A18)在表示为(A15)至(A17)中的任一CMOS图像传感器中，对于所述像素单元的每个，集成于所述CMOS图像传感器中并与至少一个光二极管的读出相关联的所有晶体管可位于所述相对应晶体管区域与所述光二极管区域的一个或两个中。

(A19)在表示为(A8)至(A18)中的任一CMOS图像传感器中，所述至少一个晶体管可包括三个晶体管。

(A20)在表示为(A8)至(A19)中的任一CMOS图像传感器中，所述至少一个光二极管可包括四个光二极管。

(B1)一种用于制造具有半岛式接地点的互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器的方法可包括：在基板中制造浅沟槽隔离以形成多个平行列的晶体管区域，其中所述晶体管区域的每个包括(a)至少一个用于容纳一个或多个晶体管的岛，其中所述至少一个岛的每个由所述浅沟槽隔离的部分而完全地封闭以及(b)用于容纳接地点的半岛区域，其中所述半岛区域由所述浅沟槽隔离的部分而仅部分地封闭。

(B2)在表示为(B1)的方法中，制造的所述步骤可包括制造所述浅沟槽隔离以使所述半岛区域的方向沿着每列交替。

(B3)在表示为(B1)与(B2)中的任一方法中，制造的所述步骤可包括制造所述浅沟槽隔离使得所述半岛区域在平行于所述列的方向上有小于0.15微米的宽。

(B4)表示为(B1)至(B3)中的任一方法可进一步包括对所述晶体管区域的每个区域，在所述半岛区域形成所述接地点。

(B5)在表示为(B4)的方法中，形成所述接地点的所述步骤可包括形成所述接地点使得所述接地点跨越所述半岛区域的宽。

(B6)在表示为(B4)与(B5)中的任一方法中，形成所述接地点的所述步骤可包括以与所述基板的大多数相同的掺杂剂掺杂所述半岛区域，以在所述半岛区域产生比基板的周遭部分更高的掺杂。

(B7)表示为(B1)至(B6)中的任一方法可进一步包括对所述晶体管区域的每个区域，沉积源极随耦器晶体管栅极于所述至少一个岛的一个上。

(B8)在表示为(B7)的方法中，沉积所述源极随耦器晶体管栅极可包括形成所述源极随耦器晶体管栅极使得所述源极随耦器晶体管栅极沿着所述列延伸至少0.4微米。

上述的装置、系统与方法可加以变化而不脱离本发明的范围。因此应注意，包含于上述的说明与插图所示应为说明性的而非限制性的。下列所要求的专利范围旨在涵盖本文所述的通用与具体特征，以及因语言的关系，本发明的系统与方法的范围的说明可为落于其间的所有描述。