1.一种纳米结构电介质电容器，其特征在于，包括钛基体、氮化钛纳米管阵列、氧化钛电介质膜、导电高分子薄膜，所述的氮化钛纳米管阵列设置在钛基体上，所述的氧化钛电介质膜设置在氮化钛纳米管阵列上，所述的导电高分子薄膜设置在氧化钛电介质膜上。
2.如权利要求1所述的纳米结构电介质电容器，其特征在于，导电高分子薄膜采用聚苯胺薄膜、聚吡咯薄膜或聚3,4-乙撑二氧噻吩薄膜。
3.一种纳米结构电介质电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在钛基体上制备有序TiO2纳米管阵列；
步骤2、将有序TiO2纳米管阵列在NH3气氛下煅烧，得到氮化钛纳米管阵列；
步骤3、对氮化钛纳米管阵列进行阳极氧化，在其表面生成氧化钛电介质膜，得到氮化钛/氧化钛纳米管阵列结构；
步骤4、将氮化钛/氧化钛纳米管阵列结构浸入到导电高分子聚合溶液中，通过光引发电化学聚合反应在氧化钛电介质膜表面生成导电高分子，即得到所述的氮化钛/氧化钛/导电高分子的纳米结构电介质电容器。
4.如权利要求3所述的纳米结构电介质电容器的制备方法，其特征在于，步骤1中，在钛基体上利用恒流法以10mA cm-2电流密度阳极氧化制备有序TiO2纳米管阵列，阳极氧化时间为45min~2h。
5.如权利要求3所述的纳米结构电介质电容器的制备方法，其特征在于，步骤2中，煅烧温度为780-820℃，煅烧时间为3-6h。
6.如权利要求3所述的纳米结构电介质电容器的制备方法，其特征在于，步骤3中，阳极氧化采用的电解液为5wt%五硼酸铵和1wt%硼酸组成的混合水溶液；阳极氧化电压不超过35V。
7.如权利要求3所述的纳米结构电介质电容器的制备方法，其特征在于，步骤4中所述的导电高分子聚合溶液包括苯胺溶液、吡咯溶液和3,4-乙撑二氧噻吩溶液中的任意一种。