技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括存储区；在所述存储区基底上形成第一栅极结构；形成覆盖所述第一栅极结构侧壁的第一侧墙；在所述第一侧墙两侧的基底中形成第一掺杂层，所述第一掺杂层中具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子向所述第一栅极结构侧壁下方衬底扩散，形成第一轻掺杂区。通过离子扩散形成的第一轻掺杂层中掺杂离子分布较均匀，能够改善晶体管性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.08.12
技术公布日：2018.02.23