技术总结
本发明提供了一种半导体器件，包括半导体衬底以及位于半导体衬底上的半导体鳍。其中，半导体鳍在两个单元共用的共同边界处具有鳍隔离结构。鳍隔离结构具有从半导体鳍顶部延伸至半导体衬底上的停止层的气隙。气隙将半导体鳍分成半导体鳍的两部分。鳍隔离结构包括覆盖在气隙顶部的介电覆盖层。本发明实施例涉及鳍式场效晶体管结构及其制造方法。
技术研发人员：张哲诚;林志翰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610689119
技术研发日：2016.08.19
技术公布日：2017.05.24