1.一种场效应晶体管，包括：
衬底，具有隔离结构和凹槽；
至少一个栅极结构，设置在所述衬底上以及所述凹槽和所述隔离结构之间；
间隔件，设置在所述至少一个栅极结构的侧壁上；以及
应变的源极和漏极区，设置在所述凹槽中和位于所述至少一个栅极结构的相对侧壁上，其中，所述应变的源极和漏极区的顶部边缘延伸超出所述间隔件和位于所述间隔件下方，并且位于所述至少一个栅极结构的侧壁旁边。
2.根据权利要求1所述的晶体管，还包括：
覆盖层，位于所述应变的源极和漏极区上。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述应变的源极和漏极区的材料包括硼掺杂的硅锗和所述覆盖层的材料包括掺杂有硼的含硅材料。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中，至少一个所述应变的源极和漏极区具有斗形轮廓，并且至少一个所述应变的源极和漏极区的顶部尺寸小于至少一个所述应变的源极和漏极区的宽度。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，至少一个所述应变的源极和漏极区具有斗形轮廓，并且至少一个所述应变的源极和漏极区的顶部尺寸等于至少一个所述应变的源极和漏极区的宽度。
6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述至少一个栅极结构是多晶硅栅极结构或替换金属栅极结构。
7.一种场效应晶体管，包括：
衬底，具有隔离结构；
栅极结构，设置在所述衬底上以及所述隔离结构之间；
间隔件，设置在所述栅极结构的侧壁上；
应变的源极和漏极区，设置在所述衬底的凹槽内和位于所述栅极结构的相对侧壁上，其中，所述间隔件覆盖所述应变的源极和漏极区的位于所述间隔件下方的顶部边缘；以及
覆盖层，位于所述应变的源极和漏极区上。
8.根据权利要求7所述的晶体管，其中，至少一个所述应变的源极和漏极区具有斗形轮廓，并且至少一个所述应变的源极和漏极区的顶部尺寸小于至少一个所述应变的源极和漏极区的宽度，并且至少一个所述应变的源极和漏极区的宽度等于或小于所述栅极结构的间隔。
9.根据权利要求7所述的晶体管，其中，至少一个所述应变的源极和漏极区具有斗形轮廓，并且至少一个所述应变的源极和漏极区的顶部尺寸等于至少一个所述应变的源极和漏极区的宽度，并且至少一个所述应变的源极和漏极区的宽度等于或小于所述栅极结构的间隔。
10.一种用于形成场效应晶体管的方法，包括：
提供具有隔离结构的衬底和栅极结构以及位于所述栅极结构的侧壁上的间隔件；
对所述衬底实施第一蚀刻工艺，以产生具有菱形蚀刻轮廓的一个或多个凹槽；
对所述衬底实施第二蚀刻工艺，以去除所述间隔件下方的所述衬底，从而产生具有斗形蚀刻轮廓的一个或多个凹槽；以及
形成填充在具有斗形蚀刻轮廓的一个或多个凹槽中的应变的源极和漏极区。