1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基底并在基底上制备形成氧化物半导体有源层；
在所述有源层上沉积绝缘介质层；
将沉积绝缘介质层后形成的结构件进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，进行退火处理的环境为空气、干氧或湿氧气氛，退火温度为250～450℃，退火时间为0.5～3h。
3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，应用热风式退火工艺或红外退火工艺进行退火处理。
4.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物。
5.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述绝缘介质层至少包括直接连接在所述有源层上的氧化硅薄膜层。
6.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述绝缘介质层还包括位于所述氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层。
7.根据权利要求1-6任一所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括步骤：
S11、提供一基底并在基底上制备栅电极；
S12、在具有栅电极的基底上沉积栅极绝缘层；
S13、在所述栅极绝缘层上制备所述氧化物半导体有源层；
S14、在所述栅极绝缘层上制备源电极和漏电极，并且所述源电极和漏电极分别电连接到所述有源层；
S15、在所述有源层上沉积钝化层，并且所述钝化层覆盖所述源电极和漏电极，所述钝化层的材料为氧化硅；
S16、将沉积所述钝化层后形成的结构件进行退火处理。
8.根据权利要求1-6任一所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括步骤：
S21、提供一基底并在基底上制备缓冲层；
S22、在所述缓冲层上制备所述氧化物半导体有源层；
S23、在所述半导体有源层上制备栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的材料为氧化硅；
S24、将沉积所述栅极绝缘层后形成的结构件进行退火处理；
S25、在进行退火处理的栅极绝缘层上制备栅电极；
S26、在所述栅电极上制备层间介质层，并且所述层间介质层覆盖所述缓冲层；
S27、在所述层间介质层中刻蚀出连通到所述有源层的过孔；
S28、在所述层间介质层上制备源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别通过所述过孔电连接到所述有源层。
9.根据权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S25包括：
S251、应用顶栅自对准工艺刻蚀形成栅电极，并相应刻蚀位于所述栅电极下方的栅极绝缘层，以使所述栅极绝缘层仅覆盖所述有源层的中间区域，所述栅极绝缘层的两侧裸露出所述有源层；所述源电极和漏电极分别连接于所述有源层裸露出于所述栅极绝缘层的部分。
10.根据权利要求9所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S25还包括：
S252、应用离子注入工艺或等离子轰击工艺或金属氧化工艺，将裸露出的有源层转化为导体，在所述有源层的一端形成源极连接部，另一端形成漏极连接部，所述源极连接部用于连接所述源电极，所述漏极连接部用于连接所述漏电极。