技术总结
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：提供一基底并在基底上制备形成氧化物半导体有源层；在所述有源层上沉积绝缘介质层；将沉积绝缘介质层后形成的结构件进行退火处理。本发明在氧化物半导体有源层上沉积完成绝缘介质层之后，即对所形成的结构件增加进行退火处理的工艺，降低了在制备绝缘介质层时因不同的成膜工艺所带来的器件性能差异，提高了成膜工艺的可重复性。
技术研发人员：谢应涛
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201610808802
技术研发日：2016.09.08
技术公布日：2017.01.04