1.一种提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，包括：
步骤A、分别在已经制备好QLED器件的基板和盖板上沉积一层透明氧化物；
步骤B、将混有碳纳米管的封装胶滴在上述透明氧化物上并震荡；
步骤C、将盖板具有透明氧化物的一面压在基板具有透明氧化物的一面，并采用紫外光照处理，实现封装。
2.根据权利要求1所述的提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，所述盖板上的透明氧化物与基板上的透明氧化物的图案互补。
3.根据权利要求1所述的提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，所述封装胶为硅胶。
4.根据权利要求1所述的提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，所述步骤C中，紫外光照的时间为1~10min，紫外光照的功率为5~30w。
5.根据权利要求1所述的提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，所述透明氧化物为纳米级。
6.根据权利要求1所述的提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，在盖板上沉积一层透明氧化物的过程具体包括：
步骤A1、在盖板表面沉积透明氧化物；然后在透明氧化物表面旋涂一层负性光刻胶并进行坚膜化处理，得到有机薄膜；
步骤A 2、在有机薄膜表面旋涂一层压印胶；
步骤A3、将具有若干纳米单元的柔性模板放置在压印胶上，并将柔性模板上的纳米单元图案转移到压印胶上；
步骤A4、然后在紫外光下曝光固化压印胶；
步骤A5、再将柔性模板去除，使压印胶上形成若干纳米单元；
步骤A6、利用干法刻蚀清除纳米单元底部残余的压印胶，直至暴露出有机薄膜的上表面；
步骤A7、利用湿法刻蚀去掉每个纳米单元底部的有机薄膜，直至暴露出透明氧化物的上表面；
步骤A8、在透明氧化物的上表面上沉积金属镍层，金属镍层的厚度小于有机薄膜的厚度；
步骤A9、利用显影液去掉透明氧化物表面剩余的有机薄膜及覆盖在有机薄膜上表面上的压印胶，在透明氧化物表面得到若干具有纳米图案结构的金属镍单元；
步骤A10、以若干具有纳米图案结构的金属镍单元作为掩膜，使用干法刻蚀对透明氧化物进行刻蚀；
步骤A11、最后剥离金属镍单元，在盖板表面得到纳米图案化的透明氧化物。
7.根据权利要求6所述的提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，所述透明氧化物为玻璃、蓝宝石、碳化硅或有机透明体。
8.根据权利要求1所述的提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，按质量比计，所述碳纳米管与封装胶的混合比例小于1:2。
9.根据权利要求2所述的提高QLED器件稳定性的封装方法，其特征在于，所述盖板上的透明氧化物与基板上的透明氧化物的图案为纳米锥、纳米柱、纳米梯形、纳米椭圆锥或纳米锥台。
10.一种QLED器件的封装结构，其特征在于，采用如权利要求1~9任一项所述的封装方法封装得到。