包括芯片启动焊盘的半导体封装的制作方法

文档序号:12036417阅读:212来源:国知局
包括芯片启动焊盘的半导体封装的制作方法与工艺

本公开的实施方式总体上涉及半导体封装,并且更具体地,涉及包括芯片启动焊盘的半导体封装。



背景技术:

在电子行业中,多芯片堆叠封装正被开发以满足对多功能、高容量、小尺寸的半导体装置的需求。可以通过在封装基板上安装多个半导体芯片来生产多芯片堆叠封装。例如,多芯片堆叠封装可以在其中具有四个或更多个堆叠的半导体芯片。多芯片堆叠封装中的每个半导体芯片可以在对应的芯片启动信号被启用时被选择性地启用。每个半导体芯片可以具有被施加芯片启动信号的至少一个芯片启动焊盘。

多芯片堆叠封装可以包括芯片启动选项结构。该芯片启动选项结构可以由将封装基板电连接至堆叠在该封装基板上的半导体芯片的互连结构来限定。然而,一旦多芯片堆叠封装被制造,就难以修改或者改变多芯片堆叠封装的芯片启动选项结构。



技术实现要素:

根据实施方式,一种半导体封装可以包括封装基板、第一半导体芯片至第四半导体芯片、第一芯片启动连接器、第二芯片启动连接器、芯片启动焊盘选择连接器以及芯片选择辅助连接器。所述封装基板可以包括第一芯片启动指(finger)、第二芯片启动指、芯片启动焊盘选择指以及芯片选择辅助指。所述第一芯片启动指可以包括第一指至第四指,并且所述第二芯片启动指可以包括第一指和第二指。所述第一半导体芯片可以被布置在所述封装基板上,并且可以具有第一芯片启动焊盘的第一焊盘、第二芯片启动焊盘的第一焊盘、芯片启动焊盘选择焊盘的第一焊盘以及芯片选择辅助焊盘的第一焊盘。所述第二半导体芯片可以被布置在所述第一半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第二焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第二焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第二焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第二焊盘。所述第三半导体芯片可以被布置在所述第二半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第三焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第三焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第三焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第三焊盘。所述第四半导体芯片可以被布置在所述第三半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第四焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第四焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第四焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第四焊盘。所述第一芯片启动连接器的第一连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第一指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第一焊盘。所述第一芯片启动连接器的第二连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第二指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第二焊盘。所述第一芯片启动连接器的第三连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第三指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第三焊盘。所述第一芯片启动连接器的第四连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第四指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第四焊盘。所述第二芯片启动连接器的第一连接器可以将所述第二芯片启动焊盘的所述第一焊盘和所述第二焊盘二者电连接至所述第二芯片启动指的所述第一指。所述第二芯片启动连接器的第二连接器可以将所述第二芯片启动焊盘的所述第三焊盘和所述第四焊盘二者电连接至所述第二芯片启动指的所述第二指。所述芯片启动焊盘选择连接器可以将所述芯片启动焊盘选择焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘全部电连接至所述芯片启动焊盘选择指。所述芯片选择辅助连接器可以将所述芯片选择辅助焊盘的所述第二焊盘和所述第四焊盘二者电连接至所述芯片选择辅助指。可以根据施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述第一芯片启动焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘或者所述第二芯片启动焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘。

根据实施方式,一种半导体封装可以包括封装基板以及堆叠在该封装基板上的半导体芯片。所述封装基板可以包括至少一个第一芯片启动指、至少一个第二芯片启动指以及芯片启动焊盘选择指。所述半导体芯片中的每一个可以包括连接至所述至少一个第一芯片启动指的第一芯片启动焊盘、连接至所述至少一个第二芯片启动指的第二芯片启动焊盘以及连接至所述芯片启动焊盘选择指的芯片启动焊盘选择焊盘。可以通过施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘或者所述半导体芯片的所述第二芯片启动焊盘。

根据实施方式,一种半导体封装可以包括四个半导体芯片以及堆叠有该四个半导体芯片的封装基板。所述四个半导体芯片中的每一个可以包括第一芯片启动焊盘、第二芯片启动焊盘和芯片启动焊盘选择焊盘。所述封装基板可以包括:第一芯片启动指,所述第一芯片启动指包括第一指至第四指并且分别连接至所述四个半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘;第二芯片启动指,所述第二芯片启动指具有与所述四个半导体芯片中的第一对的所述第二芯片启动焊盘连接的第一指以及与所述四个半导体芯片中的第二对的所述第二芯片启动焊盘连接的第二指;以及芯片启动焊盘选择指,所述芯片启动焊盘选择指连接至所述四个半导体芯片的全部芯片启动焊盘选择焊盘。可以通过施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述四个半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘或者所述四个半导体芯片的所述第二芯片启动焊盘。

根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的存储卡。所述半导体封装可以包括封装基板、第一半导体芯片至第四半导体芯片、第一芯片启动连接器、第二芯片启动连接器、芯片启动焊盘选择连接器以及芯片选择辅助连接器。所述封装基板可以包括第一芯片启动指、第二芯片启动指、芯片启动焊盘选择指以及芯片选择辅助指。所述第一芯片启动指可以包括第一指至第四指,并且所述第二芯片启动指可以包括第一指和第二指。所述第一半导体芯片可以被布置在所述封装基板上,并且可以具有第一芯片启动焊盘的第一焊盘、第二芯片启动焊盘的第一焊盘、芯片启动焊盘选择焊盘的第一焊盘以及芯片选择辅助焊盘的第一焊盘。所述第二半导体芯片可以被布置在所述第一半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第二焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第二焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第二焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第二焊盘。所述第三半导体芯片可以被布置在所述第二半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第三焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第三焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第三焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第三焊盘。所述第四半导体芯片可以被布置在所述第三半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第四焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第四焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第四焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第四焊盘。所述第一芯片启动连接器的第一连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第一指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第一焊盘。所述第一芯片启动连接器的第二连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第二指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第二焊盘。所述第一芯片启动连接器的第三连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第三指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第三焊盘。所述第一芯片启动连接器的第四连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第四指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第四焊盘。所述第二芯片启动连接器的第一连接器可以将所述第二芯片启动焊盘的所述第一焊盘和所述第二焊盘二者电连接至所述第二芯片启动指的所述第一指。所述第二芯片启动连接器的第二连接器可以将所述第二芯片启动焊盘的所述第三焊盘和所述第四焊盘二者电连接至所述第二芯片启动指的所述第二指。所述芯片启动焊盘选择连接器可以将所述芯片启动焊盘选择焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘全部电连接至所述芯片启动焊盘选择指。所述芯片选择辅助连接器可以将所述芯片选择辅助焊盘的所述第二焊盘和所述第四焊盘二者电连接至所述芯片选择辅助指。可以根据施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述第一芯片启动焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘或者所述第二芯片启动焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘。

根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的存储卡。所述半导体封装可以包括封装基板以及堆叠在该封装基板上的半导体芯片。所述封装基板可以包括至少一个第一芯片启动指、至少一个第二芯片启动指以及芯片启动焊盘选择指。所述半导体芯片中的每一个可以包括连接至所述至少一个第一芯片启动指的第一芯片启动焊盘、连接至所述至少一个第二芯片启动指的第二芯片启动焊盘以及连接至所述芯片启动焊盘选择指的芯片启动焊盘选择焊盘。可以通过施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘或者所述半导体芯片的所述第二芯片启动焊盘。

根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的存储卡。所述半导体封装可以包括四个半导体芯片以及堆叠有该四个半导体芯片的封装基板。所述四个半导体芯片中的每一个可以包括第一芯片启动焊盘、第二芯片启动焊盘和芯片启动焊盘选择焊盘。所述封装基板可以包括:第一芯片启动指,所述第一芯片启动指包括第一指至第四指并且分别连接至所述四个半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘;第二芯片启动指,所述第二芯片启动指具有与所述四个半导体芯片中的第一对的所述第二芯片启动焊盘连接的第一指以及与所述四个半导体芯片中的第二对的所述第二芯片启动焊盘连接的第二指;以及芯片启动焊盘选择指,所述芯片启动焊盘选择指连接至所述四个半导体芯片的全部芯片启动焊盘选择焊盘。可以通过施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述四个半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘或者所述四个半导体芯片的所述第二芯片启动焊盘。

根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的电子系统。所述半导体封装可以包括封装基板、第一半导体芯片至第四半导体芯片、第一芯片启动连接器、第二芯片启动连接器、芯片启动焊盘选择连接器以及芯片选择辅助连接器。所述封装基板可以包括第一芯片启动指、第二芯片启动指、芯片启动焊盘选择指以及芯片选择辅助指。所述第一芯片启动指可以包括第一指至第四指,并且所述第二芯片启动指可以包括第一指和第二指。所述第一半导体芯片可以被布置在所述封装基板上,并且可以具有第一芯片启动焊盘的第一焊盘、第二芯片启动焊盘的第一焊盘、芯片启动焊盘选择焊盘的第一焊盘以及芯片选择辅助焊盘的第一焊盘。所述第二半导体芯片可以被布置在所述第一半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第二焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第二焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第二焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第二焊盘。所述第三半导体芯片可以被布置在所述第二半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第三焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第三焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第三焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第三焊盘。所述第四半导体芯片可以被布置在所述第三半导体芯片上,并且可以具有所述第一芯片启动焊盘的第四焊盘、所述第二芯片启动焊盘的第四焊盘、所述芯片启动焊盘选择焊盘的第四焊盘以及所述芯片选择辅助焊盘的第四焊盘。所述第一芯片启动连接器的第一连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第一指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第一焊盘。所述第一芯片启动连接器的第二连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第二指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第二焊盘。所述第一芯片启动连接器的第三连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第三指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第三焊盘。所述第一芯片启动连接器的第四连接器可以将所述第一芯片启动指的所述第四指电连接至所述第一芯片启动焊盘的所述第四焊盘。所述第二芯片启动连接器的第一连接器可以将所述第二芯片启动焊盘的所述第一焊盘和所述第二焊盘二者电连接至所述第二芯片启动指的所述第一指。所述第二芯片启动连接器的第二连接器可以将所述第二芯片启动焊盘的所述第三焊盘和所述第四焊盘二者电连接至所述第二芯片启动指的所述第二指。所述芯片启动焊盘选择连接器可以将所述芯片启动焊盘选择焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘全部电连接至所述芯片启动焊盘选择指。所述芯片选择辅助连接器可以将所述芯片选择辅助焊盘的所述第二焊盘和所述第四焊盘二者电连接至所述芯片选择辅助指。可以根据施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述第一芯片启动焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘或者所述第二芯片启动焊盘的所述第一焊盘至所述第四焊盘。

根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的电子系统。所述半导体封装可以包括封装基板以及堆叠在该封装基板上的半导体芯片。所述封装基板可以包括至少一个第一芯片启动指、至少一个第二芯片启动指以及芯片启动焊盘选择指。所述半导体芯片中的每一个可以包括连接至所述至少一个第一芯片启动指的第一芯片启动焊盘、连接至所述至少一个第二芯片启动指的第二芯片启动焊盘以及连接至所述芯片启动焊盘选择指的芯片启动焊盘选择焊盘。可以通过施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘或者所述半导体芯片的所述第二芯片启动焊盘。

根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的电子系统。所述半导体封装可以包括四个半导体芯片以及堆叠有该四个半导体芯片的封装基板。所述四个半导体芯片中的每一个可以包括第一芯片启动焊盘、第二芯片启动焊盘和芯片启动焊盘选择焊盘。所述封装基板可以包括:第一芯片启动指,所述第一芯片启动指包括第一指至第四指并且分别连接至所述四个半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘;第二芯片启动指,所述第二芯片启动指具有与所述四个半导体芯片中的第一对的所述第二芯片启动焊盘连接的第一指以及与所述四个半导体芯片中的第二对的所述第二芯片启动焊盘连接的第二指;以及芯片启动焊盘选择指,所述芯片启动焊盘选择指连接至所述四个半导体芯片的全部芯片启动焊盘选择焊盘。可以通过施加至所述芯片启动焊盘选择指的信号来选择性地激活所述四个半导体芯片的所述第一芯片启动焊盘或者所述四个半导体芯片的所述第二芯片启动焊盘。

附图说明

考虑到附图和所附的详细描述,本公开的各种实施方式将变得更显而易见,其中:

图1是例示了根据实施方式的半导体封装的堆叠结构的示例的截面图;

图2是例示了根据实施方式的半导体封装的芯片启动焊盘结构的示例的图;

图3是例示了根据实施方式的半导体封装的芯片启动焊盘结构的示例的图;

图4是例示了根据实施方式的半导体封装的半导体芯片的示例的图;

图5是说明在根据实施方式的半导体封装的第一芯片选择模式期间执行的示例性操作的图;

图6是说明在根据实施方式的半导体封装的第二芯片选择模式期间执行的示例性操作的图;

图7是例示了采用包括根据一些实施方式的半导体封装中的至少一个的存储卡的电子系统的示例的图;以及

图8是例示了包括根据一些实施方式的半导体封装中的至少一个的电子系统的示例的图。

具体实施方式

本文中使用的术语可以与考虑到它们在实施方式中的功能而选择的单词对应,并且所述术语的含义可以根据所述实施方式所属的领域中的普通技术人员被解释为是不同的。如果被详细地定义,则可以根据定义来解释术语。除非另外定义,否则本文中使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与由实施方式所属的领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。

将理解的是,尽管术语第一、第二、第三等可以在本文中被用来描述各种元件,然而这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅被用来将一个元件与另一元件区分开,而不是被用来仅限定元件本身或者意指特定顺序。另外,当一个元件被称为位于另一元件“上”、“上方”、“上面”、“下”或“下方”时,它旨在意指相对位置关系,而不是被用来限制该元件与所述另一元件直接接触或者在它们之间存在至少一个中间元件的特定情况。因此,诸如在本文中使用的“在...上”、“在...上方”、“在...上面”、“在...下”、“在...下方”、“在...下面”等这样的术语仅用于描述特定实施方式的目的,而不是旨在限制本公开的范围。

半导体封装可以包括诸如半导体芯片这样的电子装置。可以利用管芯锯切工艺来将诸如晶片这样的半导体基板分成多片来获得半导体芯片。半导体芯片可以与存储器芯片、逻辑芯片(包括专用集成电路[asic]芯片)或片上系统(soc)对应。存储器芯片可以包括被集成在半导体基板上的动态随机存取存储器(dram)电路、静态随机存取存储器(sram)电路、闪存电路、磁随机存取存储器(mram)电路、电阻随机存取存储器(reram)电路、铁电随机存取存储器(feram)电路或者相变随机存取存储器(pcram)电路。逻辑芯片可以包括被集成在半导体基板上的逻辑电路。可以在诸如移动电话这样的通信系统、与生物技术或健康护理关联的电子系统或者穿戴式电子系统中采用半导体封装。

相同的附图标记在整个说明书中指代相同的元件。因此,即使未参照一幅图提及或者描述附图标记,但是也可以参照另一幅图提及或者描述该附图标记。另外,即使在一幅图中未示出附图标记,但是也可以参照另一幅图提及或者描述该附图标记。

本公开可以提供半导体封装,所述半导体封装中的每一个能够利用包括在其中的封装基板的芯片启动选项结构来选择性地激活包括在其中的半导体芯片的芯片启动焊盘中的至少一个特定芯片启动焊盘。

图1是例示了根据实施方式的半导体封装10的堆叠结构的示例的截面图。参照图1,半导体封装10可以包括封装基板100以及堆叠在该封装基板100上的多个半导体芯片400,以具有多芯片堆叠结构。尽管图1例示了在封装基板100上堆叠总共四层半导体芯片400的示例,然而本公开不限于此。因此,按照垂直配置堆叠的半导体芯片400的数目可以改变。例如,在一些实施方式中,半导体封装10可以堆叠总共八(或十六、三十二等)个半导体芯片400。半导体芯片400中的至少一个可以是nand型闪速存储器芯片。例如,半导体芯片400中的每一个可以是nand型闪速存储器芯片。因为半导体芯片400被堆叠在封装基板100上,所以半导体封装10可以具有大的数据存储容量。

封装基板100可以是印刷电路板(pcb)。封装基板100可以向半导体芯片400发送从外部装置(未例示)接收的各种电控制/命令信号和/或电数据信号。封装基板100还可以将从半导体芯片400输出的各种电控制/命令信号和/或电数据信号发送到外部装置。封装基板100可以包括将半导体芯片400电连接或者以信号方式连接至外部装置的互连结构。封装基板100还可以包括具有电绝缘特性的基板主体102。基板主体102可以包括诸如环氧树脂这样的介电材料,或者可以包括嵌入有玻璃质织物的树脂材料。

可以将迹线图案布置在基板主体102的两个相反的表面(第一表面101和第二表面103)上。可以被用作迹线图案的形式的连接指(接合指)200可以被布置在基板主体102的第一表面101上。可以被用作迹线图案的连接焊垫焊盘(connectionlandpad)300(例如,球焊垫焊盘)可以被布置在基板主体102的第二表面103上。外部连接端子800可以被布置在连接焊垫焊盘300上以将封装基板100电连接至外部装置。外部连接端子800可以是焊球。

连接指200和连接焊垫焊盘300可以是附接有电连接器的导电构件。与互连部对应的路由部(routingportion)700可以被布置在基板主体102中以将连接指200电连接至连接焊垫焊盘300。连接指200、连接焊垫焊盘300和路由部700可以构成封装基板100的互连结构。

可以将半导体芯片400堆叠封装基板100的第一表面上101上以提供台阶结构。也就是说,可以按照横向偏移布置将上半导体芯片400堆叠在下半导体芯片400上,使得布置在下半导体芯片400的第一表面408上的连接焊盘500被暴露。可以将第一半导体芯片400a堆叠在封装基板100的第一表面101上,使得第一半导体芯片400a的第二表面409面对封装基板100的第一表面101,并且可以按照横向偏移布置将第二半导体芯片400b堆叠在第一半导体芯片400a上,使得第一半导体芯片400a的连接焊盘500a被暴露。可以将第三半导体芯片400c和第四半导体芯片400d依次堆叠在第二半导体芯片400b上以提供台阶结构。可以按照横向偏移布置堆叠半导体芯片400,使得第二半导体芯片400b的连接焊盘500b、第三半导体芯片400c的连接焊盘500c和第四半导体芯片400d的连接焊盘500d全部被暴露。在一些实施方式中,可以将半导体芯片400垂直地堆叠在封装基板100上。

可以提供连接器600以将半导体芯片400电连接或者以信号方式连接至封装基板100。尽管图1例示了连接器600为接合线的示例,然而本公开不限于此。例如,除接合线以外的各种连接器可以被用来将半导体芯片400电连接至封装基板100。在一些实施方式中,导电线或导电构件可以被用作将半导体芯片400的连接焊盘500电连接至封装基板100的连接指200的连接器600。连接器600还可以将下半导体芯片(例如,400a)电连接至堆叠在下半导体芯片(例如,400a)上的上半导体芯片(例如,400b)。

每个连接指200可以通过连接器600中的四个电连接至第一半导体芯片400a的连接焊盘500中的一个、第二半导体芯片400b的连接焊盘500中的一个、第三半导体芯片400c的连接焊盘500中的一个以及第四半导体芯片400d的连接焊盘500中的一个。因此,如果第一半导体芯片至第四半导体芯片400同时操作,则从第一半导体芯片400a、第二半导体芯片400b、第三半导体芯片400c和第四半导体芯片400d的四个不同的连接焊盘500输出的四个不同的信号可以被同时发送到连接指200中的一个,或者反之亦然。在这种情况下,半导体封装10可能出故障。因此,可能有必要选择半导体芯片400中的一个以防止半导体封装10异常地操作。为了选择半导体芯片400中的任一个,半导体芯片400中的每一个具有被选择性地施加芯片启动信号的至少一个芯片启动焊盘可能是有必要的。

图2和图3是例示了图1中所例示的半导体封装10的芯片启动焊盘结构的示例的图。

参照图2,堆叠在封装基板100的第一表面101上的半导体芯片400中的每一个可以包括可以被用作连接焊盘(图1的500)的第一芯片启动焊盘510和第二芯片启动焊盘520。第一芯片启动焊盘510和第二芯片启动焊盘520可以是可以被施加用于选择特定半导体芯片400的芯片启动信号的端子。可以分别在两种不同的芯片选择模式下使用第一芯片启动焊盘510和第二芯片启动焊盘520。例如,如果存在用于选择特定半导体芯片400的两种不同的芯片选择模式(例如,第一芯片选择模式和第二芯片选择模式),则可以在第一芯片选择模式下使用第一芯片启动焊盘510,并且可以在第二芯片选择模式下使用第二芯片启动焊盘520。当半导体封装10在这两种不同的芯片选择模式之间选择的一种模式下操作时,可以在半导体芯片400的第二芯片启动焊盘520被停用的同时激活半导体芯片400的第一芯片启动焊盘510,或者可以在半导体芯片400的第一芯片启动焊盘510被停用的同时激活半导体芯片400的第二芯片启动焊盘520。

每个半导体芯片400的连接焊盘500中的一些可以用作被施加数据信号或者用来读出数据信号的数据信号焊盘(dq焊盘)560。如果半导体芯片400中的每一个被设计为具有“×8”的位组织,则每个半导体芯片400的数据信号焊盘560可以包括分别与第一数据焊盘dq0、第二数据焊盘dq1、第三数据焊盘dq2、第四数据焊盘dq3、第五数据焊盘dq4、第六数据焊盘dq5、第七数据焊盘dq6和第八数据焊盘dq7(未例示)对应的八个数据焊盘。

为了激活第一芯片启动模式和第二芯片启动模式中的一种,可能有必要选择并激活第一芯片启动焊盘510或第二芯片启动焊盘520。可以对半导体芯片400施加芯片启动焊盘选择信号以激活特定芯片启动焊盘。半导体芯片400中的每一个可以包括被施加芯片启动焊盘选择信号的芯片启动焊盘选择焊盘530。

可以根据芯片启动焊盘选择信号来激活(启用)第一芯片启动焊盘510以激活第一芯片选择模式。在这种情况下,可以停用(禁用)第二芯片启动焊盘520。相反,可以根据芯片启动焊盘选择信号来激活(启用)第二芯片启动焊盘520以激活第二芯片选择模式。在这种情况下,可以停用(禁用)第一芯片启动焊盘510。也就是说,半导体封装10可以根据芯片启动焊盘选择信号的逻辑电平在第一芯片选择模式下或者在第二芯片选择模式下操作。因此,可以能够通过对半导体芯片400的芯片启动焊盘选择焊盘530施加芯片启动焊盘选择信号来控制(或者改变)半导体封装10的芯片选择模式。半导体芯片400中的每一个还可以包括第一芯片选择辅助焊盘540和第二芯片选择辅助焊盘550,以在半导体芯片400例如在第二芯片选择模式下操作时执行更特定的芯片选择操作。例如,可以对第一芯片选择辅助焊盘540施加第一控制信号(例如,sd_sel信号),并且可以对第二芯片选择辅助焊盘550施加第二控制信号(例如,前/后[fb]信号)。这里,第一控制信号(例如,sd_sel信号)可以是指示半导体封装10被配置为具有双管芯封装(ddp)结构的信号。在这种情况下,半导体芯片400中的两个可以构成双管芯封装(ddp)结构,并且构成每个双管芯封装(ddp)结构的半导体芯片400对的第二芯片启动焊盘520可以彼此连接,如图2中所例示。当半导体封装10具有双管芯封装(ddp)结构时,第二控制信号(例如,前/后[fb]信号)可以是指示构成每个双管芯封装(ddp)结构的半导体芯片400对中的一个是第一芯片并且该半导体芯片400对中的另一个是第二芯片的信号。当半导体芯片400被选择为在第二芯片选择模式下操作时,可以根据施加至第二芯片启动焊盘520、第一芯片选择辅助焊盘540和第二芯片选择辅助焊盘550的信号的组合来选择半导体芯片400中的一个。

封装基板100还可以包括数据信号指260,所述数据信号指260被布置在基板主体102的第一表面101上并且连接至数据信号焊盘560。这里,数据信号指260可以与连接指200中的一些对应。数据信号指260可以通过与连接器600中的一些对应的数据连接器660电连接或者以信号方式连接至数据信号焊盘560。第一半导体芯片400a的第一数据信号焊盘560a可以通过数据连接器660中的一些连接至第二半导体芯片400b的第二数据信号焊盘560b,并且第二半导体芯片400b的第二数据信号焊盘560b也可以通过数据连接器660中的一些连接至第三半导体芯片400c的第三数据信号焊盘560c。此外,第三半导体芯片400c的第三数据信号焊盘560c也可以通过数据连接器660中的一些连接至第四半导体芯片400d的第四数据信号焊盘560d。因为半导体芯片400中的仅一个通过诸如第一芯片选择模式或第二芯片选择模式这样的芯片选择模式被选择,所以可以通过数据信号指260输出仅所选择的半导体芯片400的数据信号。

封装基板100还可以包括第一芯片启动指210,所述第一芯片启动指210被布置在基板主体102的第一表面101上并且连接至半导体芯片400的第一芯片启动焊盘510。这里,第一芯片启动指210可以与连接指200中的一些对应。第一芯片启动指210的数目可以是两个或更多个。例如,第一芯片启动指210的数目可以等于半导体芯片400的数目。如果半导体芯片400的数目是四个,则第一芯片启动指210的数目也可以是四个。如果半导体封装10具有包括八个半导体芯片的八管芯封装(odp)结构,则第一芯片启动指210的数目可以是八个。第一芯片启动指210可以通过与连接器600中的一些对应的第一芯片启动连接器610电连接或者以信号方式连接至半导体芯片400的第一芯片启动焊盘510。

第一芯片启动焊盘510的被布置在第一半导体芯片400a上的第一焊盘510a可以通过第一芯片启动连接器610的第一连接器610a连接至第一芯片启动指210的第一指210a。第一芯片启动焊盘510的被布置在第二半导体芯片400b上的第二焊盘510b可以通过第一芯片启动连接器610的第二连接器610b连接至第一芯片启动指210的第二指210b。第一芯片启动焊盘510的被布置在第三半导体芯片400c上的第三焊盘510c可以通过第一芯片启动连接器610的第三连接器610c连接至第一芯片启动指210的第三指210c。第一芯片启动焊盘510的被布置在第四半导体芯片400d上的第四焊盘510d可以通过第一芯片启动连接器610的第四连接器610d连接至第一芯片启动指210的第四指210d。第一芯片启动连接器610的第一连接器610a、第二连接器610b、第三连接器610c和第四连接器610d的示例可以是接合线。

第一芯片启动指210的第一指210a、第二指210b、第三指210c和第四指210d可以分别通过第一芯片启动连接器610的第一连接器610a、第二连接器610b、第三连接器610c和第四连接器610d连接至第一芯片启动焊盘510的第一焊盘510a、第二焊盘510b、第三焊盘510c和第四焊盘510d。可以根据施加至半导体芯片400的芯片启动焊盘选择焊盘530的芯片启动焊盘选择信号来激活第一芯片启动焊盘510。在这种情况下,可以停用第二芯片启动焊盘520。如果第一芯片启动焊盘510在第二芯片启动焊盘520被停用的同时被激活,则半导体芯片400可以在第一芯片选择模式下操作。在第一芯片选择模式下,可以单独地选择半导体芯片400。在第一芯片选择模式下,可以通过使用可彼此区分开的第一芯片启动焊盘510a、510b、510c和510d来选择第一半导体芯片400a、第二半导体芯片400b、第三半导体芯片400c和第四半导体芯片400d中的任一个。第一芯片选择模式可以是通过使用四个芯片启动信号来选择构成四管芯封装(qdp)结构的四个堆叠的半导体芯片中的一个的操作模式。也就是说,图2中所例示的半导体芯片400可以构成具有四个芯片启动信号的四管芯封装(qdp)结构。

封装基板100还可以包括第二芯片启动指220,所述第二芯片启动指220被布置在基板主体102的第一表面101上并且连接至半导体芯片400的第二芯片启动焊盘520。这里,第二芯片启动指220可以与连接指200中的一些对应。第二芯片启动指220的数目可以是两个或更多个。第二芯片启动指220的数目可以是堆叠在封装基板100上的半导体芯片400的数目的一半。如果半导体芯片400的数目是四个,则第二芯片启动指220的数目可以是两个。如果半导体芯片400的数目是八个,则第二芯片启动指220的数目可以是四个。

第二芯片启动指220可以通过与连接器600中的一些对应的第二芯片启动连接器620电连接或者以信号方式连接至半导体芯片400的第二芯片启动焊盘520。第二芯片启动焊盘520的被布置在第一半导体芯片400a上的第一焊盘520a可以通过第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab连接至第二芯片启动指220的第一指220ab。第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab可以延伸以将第二芯片启动焊盘520的第一焊盘520a电连接至第二芯片启动焊盘520的被布置在第二半导体芯片400b上的第二焊盘520b。因此,第二芯片启动指220的第一指220ab可以通过第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab连接至第二芯片启动焊盘520的分别被布置在第一半导体芯片400a和第二半导体芯片400b上的第一焊盘520a和第二焊盘520b二者。第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab可以是接合线。

第二芯片启动焊盘520的被布置在第三半导体芯片400c上的第三焊盘520c可以通过第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd连接至第二芯片启动指220的第二指220cd。第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd可以延伸以将第二芯片启动焊盘520的第三焊盘520c电连接至第二芯片启动焊盘520的被布置在第四半导体芯片400d上的第四焊盘520d。因此,第二芯片启动指220的第二指220cd可以通过第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd连接至第二芯片启动焊盘520的分别被布置在第三半导体芯片400c和第四半导体芯片400d上的第三焊盘520c和第四焊盘520d二者。第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd可以是接合线。

封装基板100还可以包括芯片启动焊盘选择指230,该芯片启动焊盘选择指230被布置在基板主体102的第一表面101上并且连接至半导体芯片400的芯片启动焊盘选择焊盘530。这里,芯片启动焊盘选择指230可以与连接指200中的一个对应。芯片启动焊盘选择指230可以通过与连接器600中的一个对应的芯片启动焊盘选择连接器630a电连接或者以信号方式连接至半导体芯片400的芯片启动焊盘选择焊盘530。芯片启动焊盘选择焊盘530的被布置在第一半导体芯片400a上的第一焊盘530a可以通过芯片启动焊盘选择连接器630a连接至封装基板100的芯片启动焊盘选择指230。芯片启动焊盘选择连接器630a可以是接合线。

芯片启动焊盘选择连接器630a可以延伸以将芯片启动焊盘选择焊盘530的第一焊盘530a连接至芯片启动焊盘选择焊盘530的被布置在第二半导体芯片400b上的第二焊盘530b、芯片启动焊盘选择焊盘530的被布置在第三半导体芯片400c上的第三焊盘530c以及芯片启动焊盘选择焊盘530的被布置在第四半导体芯片400d上的第四焊盘530d。也就是说,封装基板100的芯片启动焊盘选择指230可以通过芯片启动焊盘选择连接器630a连接至半导体芯片400a、400b、400c和400d的芯片启动焊盘选择焊盘530a、530b、530c和530d中的全部。可以根据施加至芯片启动焊盘选择指230的芯片启动焊盘选择信号来选择性地激活第一芯片启动焊盘510或第二芯片启动焊盘520。

封装基板100还可以包括第一芯片选择辅助指240,该第一芯片选择辅助指240被布置在基板主体102的第一表面101上并且连接至半导体芯片400的第一芯片选择辅助焊盘540,并且第一芯片选择辅助指240可以与连接指200中的一个对应。第一芯片选择辅助指240可以通过与连接器600中的一个对应的第一芯片选择辅助连接器640a电连接或者以信号方式连接至半导体芯片400的第一芯片选择辅助焊盘540。第一芯片选择辅助焊盘540的被布置在第一半导体芯片400a上的第一焊盘540a可以通过第一芯片选择辅助连接器640a直接连接至封装基板100的第一芯片选择辅助指240。第一芯片选择辅助连接器640a可以是接合线。

第一芯片选择辅助连接器640a可以延伸以将第一芯片选择辅助焊盘540的第一焊盘540a连接至第一芯片选择辅助焊盘540的被布置在第二半导体芯片400b上的第二焊盘540b、第一芯片选择辅助焊盘540的被布置在第三半导体芯片400c上的第三焊盘540c以及第一芯片选择辅助焊盘540的被布置在第四半导体芯片400d上的第四焊盘530d。也就是说,封装基板100的第一芯片选择辅助指240可以通过第一芯片选择辅助连接器640a连接至半导体芯片400a、400b、400c和400d的第一芯片选择辅助焊盘540a、540b、540c和540d中的全部。施加至第一芯片选择辅助指240的第一控制信号(例如,sd_sel信号)可以是指示半导体封装10的半导体芯片400a、400b、400c和400d全部具有两芯片启动信号双管芯封装(2ce_ddp)结构的信号。例如,如果第一控制信号(例如,sd_sel信号)被输入至半导体封装10的第一芯片选择辅助指240,则可以将第一半导体芯片400a和第二半导体芯片400b识别为一个逻辑管芯并且可以将第三半导体芯片400c和第四半导体芯片400d识别为另一逻辑管芯。

封装基板100还可以包括第二芯片选择辅助指250,该第二芯片选择辅助指250被布置在基板主体102的第一表面101上并且连接至半导体芯片400的第二芯片选择辅助焊盘550。这里,第二芯片选择辅助指250可以与连接指200中的一个对应。第二芯片选择辅助指250、第一芯片选择辅助指240和芯片启动焊盘选择指230可以与控制指231对应。可以将第二芯片选择辅助指250和第一芯片选择辅助指240布置为与芯片启动焊盘选择指230相邻。

第二芯片选择辅助指250可以通过与连接器600中的一个对应的第二芯片选择辅助连接器650bd电连接或者以信号方式连接至半导体芯片400的第二芯片选择辅助焊盘550。第二芯片选择辅助焊盘550的被布置在第二半导体芯片400b上的第二焊盘550b可以通过第二芯片选择辅助连接器650bd连接至封装基板100的第二芯片选择辅助指250。第二芯片选择辅助连接器650bd可以是接合线。

第二芯片选择辅助连接器650bd可以延伸以将第二芯片选择辅助焊盘550的第二焊盘550b连接至第二芯片选择辅助焊盘550的被布置在第四半导体芯片400d上的第四焊盘550d。也就是说,封装基板100的第二芯片选择辅助指250可以通过第二芯片选择辅助连接器650bd连接至第二半导体芯片400b的第二焊盘550b和第四半导体芯片400d的第四焊盘550d二者。第二芯片选择辅助焊盘550的被布置在封装基板100与第二半导体芯片400b之间的第一半导体芯片400a上的第一焊盘550a可以不连接至第二芯片选择辅助连接器650bd。结果,第二芯片选择辅助焊盘550的第一焊盘550a可以浮置。另外,第二芯片选择辅助焊盘550的被布置在第二半导体芯片400b与第四半导体芯片400d之间的第三半导体芯片400c上的第三焊盘550c可以不连接至第二芯片选择辅助连接器650bd以具有浮置状态。

在一些实施方式中,可以将从第二芯片选择辅助指250延伸的第二芯片选择辅助连接器650bd布置为将第二芯片选择辅助焊盘550的第一焊盘550a连接至第二芯片选择辅助焊盘550的第三焊盘550c。在这种情况下,第二芯片选择辅助焊盘550的第二焊盘550b和第四焊盘550d可以不连接至第二芯片选择辅助连接器650bd。结果,第二芯片选择辅助焊盘550的第二焊盘550b和第四焊盘550d可以浮置。

芯片启动焊盘选择指230可以通过芯片启动焊盘选择连接器630a连接至芯片启动焊盘选择焊盘530。如果第二芯片启动焊盘520是通过经由芯片启动焊盘选择指230对芯片启动焊盘选择焊盘530施加芯片启动焊盘信号而激活的,则连接至第一指220ab的第一半导体芯片400a和第二半导体芯片400b可以与连接至第二指220cd的第三半导体芯片400c和第四半导体芯片400d区分开。在这种情况下,因为被分别布置在第一半导体芯片400a和第二半导体芯片400b上的第一焊盘520a和第二焊盘520b二者连接至第二芯片启动指220的第一指220ab,所以可能附加地需要将第一半导体芯片400a(或第二半导体芯片400b)与第二半导体芯片400b(或第一半导体芯片400a)区分开,以选择第一半导体芯片400a和第二半导体芯片400b中的任一个。

可以通过使用第二芯片选择辅助指250与第二芯片选择辅助焊盘550的第二焊盘550b之间的连接结构来选择第一半导体芯片400a和第二半导体芯片400b中的任一个。也就是说,第二芯片选择辅助焊盘550的被布置在第一半导体芯片400a上的第一焊盘550a可以不连接至第二芯片选择辅助连接器650bd,并且可以浮置。然而,第二芯片选择辅助焊盘550的被布置在第二半导体芯片400b上的第二焊盘550b可以连接至第二芯片选择辅助连接器650bd。因此,如果具有与电源电压vcc对应的逻辑“高”电平的第二控制信号(例如,前/后[fb]信号)被施加至第二芯片选择辅助指250,则可以将第二半导体芯片400b识别为由第一半导体芯片400a和第二半导体芯片400b组成的双管芯封装(ddp)结构的第二芯片,这是因为第二芯片选择辅助焊盘550的第二焊盘550b具有逻辑“高”电平。在这种情况下,可以将第一半导体芯片400a识别为由第一半导体芯片400a和第二半导体芯片400b组成的ddp结构的第一芯片,这是因为第二芯片选择辅助焊盘550的第一焊盘550a是浮置的。

如上所述,第二芯片选择模式是使用两个芯片启动信号来选择半导体芯片400a、400b、400c和400d中的一个的芯片选择模式,并且可以使用第二芯片选择辅助连接器650bd的连接结构、第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab的连接结构以及第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd的连接结构来实现第二芯片选择模式,所述第二芯片选择辅助连接器650bd的连接结构将第二芯片选择辅助指250连接至第二芯片选择辅助焊盘550的第二焊盘550b和第二芯片选择辅助焊盘550的第四焊盘550d,所述第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab的连接结构将第二芯片启动指220的第一指220ab连接至第二芯片启动焊盘520的第一焊盘520a和第二焊盘520b,并且所述第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd的连接结构将第二芯片启动指220的第二指220cd连接至第二芯片启动焊盘520的第三焊盘520c和第四焊盘520d。因此,半导体封装10可以例如在两芯片启动信号四管芯封装(2ce_qdp)模式下操作。

此外,也可以使用被布置为实现第一选择模式和第二选择模式的封装基板100的连接指200的阵列结构以及使用将封装基板100电连接至半导体芯片400的连接器600的连接结构来实现能够改变芯片启动焊盘和芯片选择模式的芯片启动选项结构。因此,可以甚至在半导体封装10被制造之后改变半导体封装10的操作模式或芯片启动模式。

参照图3,可以将连接指200布置在基板主体102的第一表面101上,并且可以将连接焊垫焊盘300布置在基板主体102的第二表面103上。另外,可以将外部连接端子800布置在连接焊垫焊盘300上以将封装基板100电连接至外部装置。在图3中,图2中所例示的数据信号焊盘560和数据信号指260被省去。可以将芯片启动连接端子810布置在连接焊垫焊盘300中的一些上。芯片启动连接端子810可以分别通过第一芯片启动路由部710电连接或者以信号方式连接至第一芯片启动指210。可以将第一芯片启动路由部710布置为基本上穿透封装基板100的基板主体102。

穿透基板主体102的第一芯片启动路由部710可以包括第一路由部710a、第二路由部710b、第三路由部710c和第四路由部710d,该第一路由部710a、该第二路由部710b、该第三路由部710c和该第四路由部710d分别将第一芯片启动指210的第一指210a、第二指210b、第三指210c和第四指210d电连接或者以信号方式连接至芯片启动连接端子810的第一连接端子810a、第二连接端子810b、第三连接端子810c和第四连接端子810d。

第二芯片启动指220可以通过第二芯片启动路由部720连接至第一芯片启动路由部710,使得第二芯片启动指220连接至芯片启动连接端子810。为了将第二芯片启动指220的第一指220ab连接至芯片启动连接端子810的第一连接端子810a,可以将第二芯片启动路由部720的第一路由部720ab布置在封装基板100中以将第二芯片启动指220的第一指220ab电连接至第一芯片启动路由部710的第一路由部710a。为了将第二芯片启动指220的第二指220cd连接至芯片启动连接端子810的第二连接端子810b,可以将第二芯片启动路由部720的第二路由部720cd布置在封装基板100中以将第二芯片启动指220的第二指220cd电连接至第一芯片启动路由部710的第二路由部710b。可以将第二芯片启动路由部720布置在封装基板100的基板主体102中。在一些实施方式中,可以将第二芯片启动路由部720布置在基板主体102的第一表面101上。结果,因为第一芯片启动焊盘510和第二芯片启动焊盘520连接至芯片启动连接端子810的第一连接端子810a和第二连接端子810b,所以可以减小连接至第一芯片启动焊盘510和第二芯片启动焊盘520的芯片启动连接端子810的数目。

为了将芯片启动焊盘选择指230连接至用于芯片启动焊盘选择的连接端子830,可以将用于芯片启动焊盘选择的路由部730布置在封装基板100中。另外,可以将芯片启动焊盘选择路由部730布置为将芯片启动焊盘选择连接端子830电连接至与芯片启动焊盘选择指230相邻的第一芯片选择辅助指240和第二芯片选择辅助指250。因此,可以对芯片启动焊盘选择指230以及第一芯片选择辅助指240和第二芯片选择辅助指250施加控制信号。

图4是例示了图1中所例示的半导体封装10的半导体芯片400的示例的图。参照图4,半导体芯片400可以包括nand闪速存储器装置。具体地,半导体芯片400可以包括存储器单元区域410、页面缓冲器区域420和外围电路区域430,在所述存储器单元区域410中执行数据的编程操作(即,写入操作)、擦除操作和读取操作。另外,半导体芯片400还可以包括控制逻辑区域440和芯片启动焊盘选择器460,所述控制逻辑区域440控制芯片选择操作,并且所述芯片启动焊盘选择器460向控制逻辑区域440提供用于选择第一芯片启动焊盘510或第二芯片启动焊盘520的选择信号。此外,半导体芯片400还可以包括芯片焊盘区域450,在该芯片焊盘区域450中布置有第一芯片启动焊盘510和第二芯片启动焊盘520、数据信号焊盘560、芯片启动焊盘选择焊盘530、第一芯片选择辅助焊盘540以及第二芯片选择辅助焊盘550。尽管图4例示了nand闪速存储器装置可以具有的一些元件,然而本公开不限于此。例如,半导体芯片400可以包括除nand闪速存储器装置以外的任何类型的半导体装置。

图5是说明在图1、图2和图3中所例示的半导体封装的第一芯片选择模式期间执行的示例性操作的图。参照图5,芯片启动焊盘选择连接端子830可以是电绝缘的,并且可以是浮置的。如果连接至芯片启动焊盘选择连接端子830的芯片启动焊盘选择指230以及第一芯片选择辅助指240和第二芯片选择辅助指250浮置,则可以对半导体芯片400施加选择第一芯片启动焊盘510的第一激活信号。半导体芯片400的第一芯片启动焊盘510可以由第一激活信号启用,并且半导体芯片400的第二芯片启动焊盘520可以由第一激活信号禁用。可以使用被激活的第一芯片启动焊盘510a至510d来选择半导体芯片400中的任一个。可以使用第一芯片启动焊盘510a至510d、第一芯片启动指210a至210d、第一芯片启动连接器610a至610d、第一芯片启动路由部710a至710d以及芯片启动连接端子810a至810d的连接结果来选择半导体芯片400中的任一个。用于使用四个芯片启动信号来选择半导体芯片400中的特定一个的第一芯片选择模式(例如,四芯片启动信号四管芯封装(4ce_qdp)模式)可以被应用于具有四管芯封装(qdp)结构的半导体封装的操作。

图6是说明在图1、图2和图3中所例示的半导体封装的第二芯片选择模式期间执行的示例性操作的图。参照图6,如果与逻辑“高”电平对应的电源电压vcc被施加至芯片启动焊盘选择连接端子830,则电源电压vcc可以被施加至与芯片启动焊盘选择连接端子830连接的芯片启动焊盘选择指230、芯片启动焊盘选择连接器630a和芯片启动焊盘选择焊盘530。在这种情况下,可以对半导体芯片400施加第二激活信号。因此,可以激活半导体芯片400的第二芯片启动焊盘520以具有启用状态,并且可以停用(禁用)半导体芯片400的第一芯片启动焊盘510。

因为第一芯片选择辅助指240和第二芯片选择辅助指250通过芯片启动焊盘选择路由部730连接至芯片启动焊盘选择连接端子830,所以电源电压vcc也可以被施加至第一芯片选择辅助指240和第二芯片选择辅助指250。在这种情况下,电源电压vcc也可以通过第一芯片选择辅助指240和第一芯片选择辅助连接器640a被施加至第一芯片选择辅助焊盘540。因此,可以将半导体芯片400a、400b、400c和400d识别为形成双管芯封装(ddp)结构,并且可以对半导体芯片400施加第一控制信号(例如,sd_sel信号)。另外,具有逻辑“高”电平的电源电压vcc可以通过第二芯片选择辅助指250和第二芯片选择辅助连接器650bd被施加至第二芯片选择辅助焊盘550的第二焊盘550b和第四焊盘550d,并且第二芯片选择辅助焊盘550的第一焊盘550a和第三焊盘550c可以浮置。因此,第二半导体芯片400b和第四半导体芯片400d可以被识别为构成半导体芯片400的一个组,并且第一半导体芯片400a和第三半导体芯片400c可以被识别为构成半导体芯片400的另一组。在这种情况下,可以使用第二芯片启动焊盘520a至520d以及第二芯片启动连接器620ab和620cd的连接结构来选择第二半导体芯片400b和第四半导体芯片400d中的任一个,并且也可以使用第二芯片启动焊盘520a至520d以及第二芯片启动连接器620ab和620cd的连接结构来选择第一半导体芯片400a和第三半导体芯片400c中的任一个。虽然第二半导体芯片400b连接至第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab,但是第四半导体芯片400d可以不连接至第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab。因此,可以通过经由第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab施加至第二半导体芯片400b的信号来在第二半导体芯片400b与第四半导体芯片400d之间选择第二半导体芯片400b。类似地,虽然第一半导体芯片400a连接至第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab,但是第三半导体芯片400c可以不连接至第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab。因此,可以通过经由第二芯片启动连接器620的第一连接器620ab施加至第一半导体芯片400a的信号来在第一半导体芯片400a与第三半导体芯片400c之间选择第一半导体芯片400a。

虽然第三半导体芯片400c连接至第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd,但是第一半导体芯片400a可以不连接至第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd。因此,可以通过经由第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd施加至第三半导体芯片400c的信号来在第一半导体芯片400a与第三半导体芯片400c之间选择第三半导体芯片400c。类似地,虽然第四半导体芯片400d连接至第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd,但是第二半导体芯片400b可以不连接至第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd。因此,可以通过经由第二芯片启动连接器620的第二连接器620cd施加至第四半导体芯片400d的信号来在第二半导体芯片400b与第四半导体芯片400d之间选择第四半导体芯片400d。

如上所述,可以使用第二芯片启动焊盘520a至520d、第二芯片启动连接器620ab和620cd、第二芯片启动路由部720ab和720cd以及芯片启动连接端子810a和810b的连接结构以及包括第一芯片选择辅助指240和第二芯片选择辅助指250的连接结构来选择半导体芯片400中的一个。因此,可以在包括两对双管芯封装(ddp)结构的半导体封装中实现用于使用两个芯片启动信号来选择半导体芯片400中的特定一个的第二芯片选择模式,例如,两芯片启动信号双管芯封装(2ce_ddp)操作模式。

根据实施方式的半导体封装10可以根据具有逻辑“高”电平的信号(例如,电源电压vcc)是否被施加至芯片启动焊盘选择连接端子830使用利用两个芯片启动信号或四个芯片启动信号的芯片选择操作模式来选择半导体芯片400中的一个。

图7是例示了包括存储卡7800的电子系统的示例的图。这里,存储卡7800可以包括根据实施方式的半导体封装中的至少一个。存储卡7800可以包括诸如非易失性存储器装置这样的存储器7810以及存储控制器7820。存储器7810和存储控制器7820可以存储数据或者读取存储的数据。存储器7810和/或存储控制器7820可以包括被布置在根据实施方式的半导体封装中的一个或更多个半导体芯片。

存储器7810可以包括被应用有本发明的实施方式的技术的非易失性存储器装置。存储控制器7820可以控制存储器7810,以使得存储的数据被读出或者响应于来自主机7830的读取/写入请求而存储数据。

图8是例示了包括根据实施方式的半导体封装中的至少一个的电子系统8710的示例的图。电子系统8710可以包括控制器8711、输入/输出装置8712和存储器8713。控制器8711、输入/输出装置8712和存储器8713可以通过为数据通信提供路径的总线8715彼此联接。

在实施方式中,控制器8711可以包括微处理器、数字信号处理器、微控制器和/或能够执行与这些组件相同的功能的逻辑装置中的一个或更多个。控制器8711或存储器8713可以包括根据本公开的实施方式的半导体封装中的一个或更多个。输入/输出装置8712可以包括在小键盘、键盘、显示装置、触摸屏等之间选择的至少一个。存储器8713是用于存储数据的装置。存储器8713可以存储数据和/或要由控制器8711执行的命令等。

存储器8713可以包括诸如dram这样的易失性存储器装置和/或诸如闪速存储器这样的非易失性存储器装置。例如,闪速存储器可以被安装在诸如移动终端或台式计算机这样的信息处理系统上。闪速存储器可以构成固态磁盘(ssd)。在这种情况下,电子系统8710可以将大量的数据稳定地存储在闪速存储器系统中。

电子系统8710还可以包括被配置为向通信网络发送数据以及从通信网络接收数据的接口8714。接口8714可以是有线型或无线型。例如,接口8714可以包括天线或者有线或无线收发器。

电子系统8710可以被实现为执行各种功能的移动系统、个人计算机、工业计算机或逻辑系统。例如,移动系统可以是以下项中的任一个:个人数字助理(pda)、便携式计算机、平板计算机、移动电话、智能电话、无线电话、膝上型计算机、存储卡、数字音乐系统以及信息发送/接收系统。

如果电子系统8710是能够执行无线通信的设备,则可以在诸如以下项的通信系统中使用电子系统8710:码分多址(cdma)、全球移动通信系统(gsm)、北美数字蜂窝(nadc)、增强型时分多址(e-tdma)、宽带码分多址(wcdma)、cdma2000、长期演进(lte)以及无线宽带互联网(wibro)。

已经出于示例性目的公开了本公开的实施方式。本领域技术人员将领会的是,能够在不脱离本公开及所附的权利要求的范围和精神的情况下进行各种修改、添加和替换。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年4月11日提交的韩国专利申请no.10-2016-0044094的优先权,该韩国专利申请通过引用完整地并入到本文中。

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