技术总结
一种具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线，其特征在于Al掺杂SiC纳米线的表面为一层由SiO2纳米球联接Al掺杂SiC纳米线构成的网状纳米结构，其制备方法主要包括：以聚碳硅烷、硅粉和硝酸铝为反应原料，硝酸镍为催化剂；将混合研磨后的反应原料和带有催化剂的石墨基片置于石墨反应室中，放入真空气氛炉内；通Ar气，抽真空至50～80Pa，以15℃/min的升温速率升温至1350～1450℃,保温60～90min。所获得的具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线作为场发射阴极材料，表现出很低的开启电场(0.5V/μm)和阈值电场(2.8V/μm)，而且具有高的场发射稳定性。
技术研发人员：李镇江;宋冠英;孟阿兰;李凯华;张猛
受保护的技术使用者：青岛科技大学
文档号码：201610861725
技术研发日：2016.09.29
技术公布日：2017.01.04