技术特征：
技术总结
本发明一方面涉及一种用于使半导体芯片(1)与衬底(2)连接的方法。半导体芯片(1)具有带下侧(10b)的半导体本体(10)，在所述下侧上施加有下部的芯片金属化层(12)。衬底(2)具有金属表面(2t)。在下部的芯片金属化层(12)上生成第一接触金属化层(31)，并且在衬底(2)的金属表面(2t)上生成第二接触金属化层(32)。在压紧持续时间内将半导体芯片(1)和衬底(2)彼此压合，以使得第一接触金属化层(31)和第二接触金属化层(32)直接地并且平面地彼此贴靠。将第一接触金属化层(31)在压紧持续时间期间持续地保持在小于第一接触金属化层(31)的熔化温度的温度上。相应地将第二接触金属化层(32)在压紧持续时间期间持续地保持在小于第二接触金属化层(32)的熔化温度的温度上。在彼此压合之后，第一接触金属化层(31)和第二接触金属化层(32)具有小于1000nm的总层厚度(d3132)。
技术研发人员：G·特里奇伦加拉简;C·施塔尔胡特
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2016.10.14
技术公布日：2017.07.14