半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开一种半导体装置，其包括被分别设置成偏置至第一列中的第一沟道层的一侧和第二列中的第一沟道层的一侧的第一列中的第二沟道层和第二列中的第二沟道层。第一列中的第一沟道层的一侧和第二列中的第一沟道层的一侧面向彼此相对的方向。

技术研发人员：李南宰
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.12.08