半导体装置的形成方法与流程

技术特征：

技术总结
本公开提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一源极/漏极特征于一基板之上；形成一介电层于源极/漏极特征之上；形成一接触沟槽穿过介电层以曝露源极/漏极特征；以一第一原子层沉积(ALD)工艺沉积一氮化钛(TiN)层于接触沟槽；以及沉积一钴层于接触沟槽中的TiN层之上。

技术研发人员：黄俊贤;李弘贸;陈昱恺;杨弦龙;林威戎
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.10.28
技术公布日：2017.09.15