技术总结
本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括下步骤：提供GaAs衬底材料，并对GaAs衬底材料进行表面清洁；利用聚焦离子束（FIB）轰击GaAs衬底，通过改变离子束照射参数，诱导有序Ga金属纳米液滴形成；把GaAs衬底放入分子束外延（MBE）系统中，打开As4源，形成GaAs量子点；本发明利用FIB诱导形成的有序Ga液滴作为加工GaAs量子点的模板，实现有序GaAs量子点的生长。
技术研发人员：徐星亮;李俊焘;代刚;向安;肖承全;张林;周阳
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院电子工程研究所
文档号码：201611089713
技术研发日：2016.12.01
技术公布日：2017.05.10