技术总结
本发明提供一种提高了光取出效率的包含AlxGayN(0＜x≤1，0≤y＜1)的半导体发光元件。半导体发光元件具备：在第一主面上具备第一电极的第一导电型半导体；第二导电型半导体；和第一导电型半导体的第二主面与第二导电型半导体的第一主面之间的活性层。在第二导电型半导体的第二主面的与第一电极相对的区域的至少一部分配置有多个凸部，在区域以外的区域的至少一部分配置有第二电极。包含电介质的多个凸部从第二导电型半导体的第二主面向与活性层相反的一侧突出，相邻的凸部之间的间隔比从活性层发出的光在凸部的介质中的波长宽。
技术研发人员：泽村诚;山本秀一郎;伊藤茂稔
受保护的技术使用者：夏普株式会社
文档号码：201611167309
技术研发日：2016.12.16
技术公布日：2017.06.23