一种化合物电池电极引接装置的制作方法

文档序号:12478791阅读:150来源:国知局

本发明涉及化合物电池,具体涉及一种化合物电池电极引接装置。



背景技术:

在绿色环保意识下,高效率的太阳能电池是市场上都需要的,而太阳能具有取之不尽,用之不竭的优势,而且是干净、无噪音、无污染的天然资源,被视为未来最具有发展潜力的替代性能源之一。但是现有的化合物电池存在生产成本高,不良品比例高,不方便工程人员检测的问题。



技术实现要素:

针对现有技术的上述缺陷和问题,本发明所要解决的技术问题是现有化合物电池生产成本高,不良品比例高,不方便工程人员检测的问题。

为了达到上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种化合物电池电极引接装置,包括基板和固定在基板表面上化合物电池,所述基板的第一电极、第二电极导引接到基板底部的同一面上,在所述第一电极、第二电极下方分别连接有第一电极导通层、第二电极导通层,所述第一电极导通层、第二电极导通层在基板底部分别连接有第一电极焊盘、第二电极焊盘,从而把化合物电池电极引接成表面贴装器件。

上述技术方案中,所述化合物电池为三五族化合物电池,所述三五族化合物电池尺寸为2mm、3mm、4mm、5mm、7mm或10mm。

上述技术方案中,所述基板的材料为陶瓷板、MCPCB铝基板、FR4玻璃纤维板或FPC软板。

上述技术方案中,所述陶瓷板厚度在0.3-0.5mm。

上述技术方案中,所述MCPCB铝基板厚度在1-2.5mm。

上述技术方案中,所述FR4玻璃纤维板厚度在0.3-2.5mm。

上述技术方案中,所述FPC软板厚度在0.1-0.9mm。

上述技术方案中,所述第一电极焊盘的焊盘尺寸为1x1-5x5mm。

上述技术方案中,所述第二电极焊盘的焊盘尺寸为2x2-15x15mm。

本发明提供的一种化合物电池电极引接装置采用将三五族化合物电池的电极引接成SMD的表面黏著技术,加快生产速度降低生产成本,减少不良品比例,方便工程人员的检测。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一种化合物电池电极引接装置的结构示意图。

图中:11、三五族化合物电池;21、第一电极;31、第二电极;41、绝缘层;51、第一电极导通层;61、第二电极导通层;210、第一电极焊盘;310、第二电极焊盘。

具体实施方式

下面将结合本发明的附图,对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

根据图1所示,作为实施例所示的一种化合物电池电极引接装置包括基板和固定在基板表面上化合物电池,基板的第一电极、第二电极导引接到基板底部的同一面上,在第一电极、第二电极下方分别连接有第一电极导通层、第二电极导通层,第一电极导通层、第二电极导通层在基板底部分别连接有第一电极焊盘、第二电极焊盘,从而把化合物电池电极引接成表面贴装器件。藉此电极引接方式提高生产效率,把化合物电池电极引接成SMD(表面贴装器件)的表面黏著技术,加快生产速度降低生产成本,减少不良品比例,方便工程人员检测。

化合物电池为三五族化合物电池,三五族化合物电池尺寸可为2mm、3mm、4mm、5mm、7mm或10mm。基板的材料为陶瓷板、MCPCB铝基板、FR4玻璃纤维板或FPC软板。其中陶瓷板厚度在0.3-0.5mm,MCPCB铝基板厚度在1-2.5mm,FR4玻璃纤维板厚度在0.3-2.5mm,FPC软板厚度在0.1-0.9mm。

第一电极焊盘的焊盘尺寸为1x1-5x5mm,第二电极焊盘的焊盘尺寸为2x2-15x15mm。

在本实施例中,基板材质为铝合金金属材质(MCPCB)。

本发明的工作原理如下:本发明利用市场上已经非常成熟的PCB工艺解决了三五族化合物电池电极引接方式,使得化合物电池电极引接成SMD的表面黏著元器件。本发明的工作原理在三五族化合物电池芯片上的第一电极下方设有第一电极电极导通层把第一电极引接都基板底部,在第二电极的下方设有第二电极电极导通层把第二电极引接到基板底部,导通层采用通孔技术在通孔的周围镀上导电金属层,在第一电极导通层、第二电极导通层设有在基板底部设有绝缘层,在基板底部设有第一电极焊盘、第二电极焊盘。然后形成SMD的表面黏著元器件。

以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

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