技术总结
本发明公开了一种集成电路角落的使用方法，其包括以下步骤：步骤一，角落放置电源和地的环线，用符合挖槽设计规则的金属连线衔接两个互为垂直方向IO‑RING对应的电源线和地线；步骤二，在步骤一所述电源线金属线区域的正下方放置用于防止闩锁效应的N‑Well及N‑tap，打上足够多的欧姆接触孔(Contact)，并通过金属及足够多的过孔(Via)连至该较宽金属电源线；步骤三，在步骤一所述地线金属线区域的正下方放置用于防止闩锁效应的P‑Well及P‑tap，打上足够多的欧姆接触孔(Contact)，并通过金属及足够多的过孔(Via)连至该较宽金属地线。本发明可提升集成电路硅片面积的有效使用率。
技术研发人员：唐立伟;任军
受保护的技术使用者：合肥恒烁半导体有限公司
文档号码：201611265882
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2017.05.10