技术总结
一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池。包括前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。其结构从迎光面开始依次为：前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、p型晶体硅重掺杂层、钝化层、金属栅状电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用基于扩散的传统晶体硅制备工艺。TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压和转换效率。背面传统的晶体硅制备工艺可充分利用现有晶体硅太阳电池生产设备。双面结构可充分利用太阳光，增加实际发电量，降低光伏发电成本。
技术研发人员：高超;黄海宾;周浪;岳之浩
受保护的技术使用者：南昌大学
文档号码：201621054523
技术研发日：2016.09.14
技术公布日：2017.06.20