技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成浮栅；在所述浮栅表面上形成阻挡层；在所述浮栅侧壁上形成隧穿氧化层。本发明技术方案在形成浮栅之后，在露出的浮栅表面上形成阻挡层。所述阻挡层能够有效的防止浮栅内掺杂原子的气化扩散，从而能够降低扩散原子污染所述衬底上其他的半导体结构的几率，减少所述衬底上其他半导体结构受到污染的可能，有利于改善所述半导体结构的电学性能，有利于提高良率。
技术研发人员：曹子贵;孙艳;苏步春;孔蔚然;张博;张凌越
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201710008770
技术研发日：2017.01.05
技术公布日：2017.05.31