技术特征：
技术总结
一种方法包括形成延伸至半导体衬底内的隔离区并凹进隔离区。隔离区之间的半导体衬底的部分突出为高于隔离区以形成半导体鳍。形成伪栅电极以覆盖半导体鳍的中间部分，且半导体鳍的端部未被伪栅电极覆盖。伪栅电极包括伪栅电极下部和包括多晶硅的伪栅电极上部位于伪栅电极下部的上方。伪栅电极下部和伪栅电极上部由不同的材料形成。源极/漏极区在伪栅电极的相对两侧上形成。伪栅电极被替代栅电极替换。本发明实施例涉及两步伪栅极形成。
技术研发人员：江国诚;潘冠廷;王志豪;梁英强;卡洛斯·H·迪亚兹
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.01.09
技术公布日：2017.10.03