制造半导体器件的方法、阵列基板和显示装置与流程

技术特征：

技术总结
本公开提供了一种制造半导体器件的方法、一种阵列基板和一种显示装置。制造半导体器件的方法包括：在基板上方沉积第一氧化物半导体层，将H2O2溶液喷洒到第一氧化物半导体层上；采用紫外光照射H2O2溶液，以促进其中的H2O2分解；以及将存在于第一氧化物半导体层上的H2O2溶液烘干，并继续沉积第二氧化物半导体层。

技术研发人员：温钰;胡合合
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2017.04.20
技术公布日：2017.07.28