技术特征：
技术总结
尽管有FinFET和应变硅器件的改进，晶体管仍然继续随着器件尺度缩减而遭受性能下降。这些性能下降具体包括在半传导沟道与衬底之间的电荷泄漏。隔离沟道FinFET器件通过在沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来防止沟道到衬底泄漏。绝缘层物理和电隔离鳍与衬底。为了形成隔离FinFET器件，可以在氮化物柱之间从硅表面外延生长双层鳍阵列，这些氮化物柱提供在相邻鳍之间的局部化绝缘。然后可以去除下鳍层而留下上鳍层，因此产生在硅表面上方悬置的氮化物柱和半传导鳍的交错阵列。然后可以用氧化物填充在上鳍层下面的所得间隙以隔离鳍沟道阵列与衬底。
技术研发人员：N·劳贝特;P·卡雷
受保护的技术使用者：意法半导体公司
技术研发日：2013.09.26
技术公布日：2017.10.20