技术特征：
技术总结
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件，其至少包括衬底，以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层，其特征在于：于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层，所述差排形成层包括交替层叠的InxGa1‑xN子层和n‑GaN子层，其中0.01<x<0.1，本发明通过采用低温生长于N型层和第一势垒层之间生长InxGa1‑xN/n‑GaN周期性结构的差排形成层，差排形成层产生的差排密度及宽度会逐渐加深及增大而形成V型缺陷，进而影响差排密度，从而提高量子阱内量子效率。
技术研发人员：林继宏;林兓兓;蔡吉明;张家宏
受保护的技术使用者：安徽三安光电有限公司
技术研发日：2017.05.27
技术公布日：2017.09.15