技术特征：
技术总结
本发明提供一种金刚石基底场效应晶体管制备方法，其中包括：步骤一、提供金刚石基底，并对金刚石基底进行清洗；步骤二、使用氢等离子体处理金刚石基底表面，形成氢等离子体处理层；步骤三、在氢等离子体处理层上淀积氧化物并光刻出栅介质层；步骤四、生长源/漏极电极金属；步骤五、形成的器件上生长栅电极金属。本发明能够在金刚石材料表面形成高空穴浓度薄层，有利于改善金刚石基底材料的性能。
技术研发人员：龙世兵;董航;何启鸣;刘明
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2017.09.08