技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于掺杂HfO2铁电栅介质的AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有同类器件可靠性差的问题。该器件自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层、SiN钝化层和栅介质层，SiN钝化层中设有凹型结构，栅介质层位于凹型内壁及SiN钝化层表面，该栅介质层采用HfO2材料，GaN缓冲层的两端设有源电极和漏电极，栅介质层的中间设有栅电极，源电极和漏电极上设有金属互联层，栅电极和钝化层表面的栅介质层上覆盖有SiN钝化层，本发明提高了器件的可靠性，减小了增强型器件的栅漏电，可用于作为需要较大阈值电压的开关器件。
技术研发人员：郝跃;祝杰杰;陈丽香;马晓华;刘捷龙
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.07.10
技术公布日：2017.11.03