技术特征：
技术总结
本发明提供了一种沟槽形成方法。所述沟槽形成方法包括：在硅衬底形成多晶硅层并在所述多晶硅层形成第一多晶硅沟槽；在所述多晶硅层表面形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一多晶硅沟槽的内表面；对所述第一氧化层进行刻蚀并形成第二多晶硅沟槽；在所述多晶硅层表面形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述第二多晶硅沟槽的内表面；对所述第二氧化层进行刻蚀并形成第三多晶硅沟槽；利用所述多晶硅层作为掩膜对所述硅衬底进行刻蚀，并形成衬底沟槽。采用本发明提供的沟槽形成方法降低制作窄沟槽对光刻设备的要求，可以有效地减少器件制作成本。
技术研发人员：张凯
受保护的技术使用者：张凯
技术研发日：2017.07.12
技术公布日：2017.09.22