本实用新型涉及半导体加工设备领域,尤其是涉及一种加热块装置。
背景技术:
半导体框架需要进行加热处理,而针对半导体框架的加热块结构无法满足框架的基岛在塑封之后仍暴露在外面。
技术实现要素:
本实用新型的目的在于提供一种加热块装置,其能够让半导体框架的基岛在塑封之后仍能够暴露在外面。
为解决上述技术问题,本实用新型的实施方式提供了一种加热块装置,其包括:加热块本体(1),其设置有定位孔(2),所述加热块本体布置有N行两列加热块凹槽(3),每行相邻的两加热块凹槽之间具有框架支撑间隙(4),各加热块凹槽远框架支撑间隙端设置有空隙(5),各加热块凹槽设置有中心孔(6)。
与现有技术相比,本实用新型提供的加热块装置能够让半导体框架的基岛在塑封之后仍能够暴露在外面,整个装置结构在提高工作性能的同时,装置的成本较低。
进一步,N的取值为8。
进一步,所述加热块凹槽的内凹深度为0.66mm。
附图说明
图1为加热块装置主视图;
图2为加热块装置仰视图;
图3为图1中A处放大图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例,进一步阐述本实用新型。
本实用新型的实施方式提供了一种加热块装置,参见图1-3所示,其包括:呈方块状的加热块本体1,其设置有定位孔2,所述加热块本体布置有八行两列加热块凹槽3,每行相邻的两加热块凹槽之间具有框架支撑间隙4,各加热块凹槽远框架支撑间隙端设置有空隙5,各加热块凹槽的内凹深度为0.66mm,且在加热块凹槽设置有中心孔6。
本实用新型中单颗的最大深度可到0.66mm,有效的保证了框架的基岛在塑封之后仍暴露在外面,便于后续工序的作业。
另外,这里定位孔为圆形孔,还可以设置为十字形孔。
图2中示出了流道孔,该流道孔可拆卸地设置一个防堵塞,在工作时,取掉该防堵塞即可。
另外,该加热块本体的底部可设置两道内凹槽,其便于将加热块本体安放到容纳结构中而配合限位凸起来防止加热块本体产生位移。
本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本实用新型的精神和范围。