半导体装置的制造方法以及半导体装置与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供半导体装置的制造方法以及半导体装置，其在短时间内可靠地筛选出潜在不良，并且抑制半导体装置的制造不良成本。在半导体衬底上完成半导体装置之前的制造工序中，在形成了筛选对象的结构的阶段，对半导体衬底与栅电极膜之间施加电压，以晶片为单位全面地进行栅绝缘膜的潜在缺陷的筛选，从而在半导体装置完成品的电特性试验时作为初始不良产品而显现出来。

技术研发人员：樱井仁美;秋野胜
受保护的技术使用者：艾普凌科有限公司
技术研发日：2018.02.22
技术公布日：2018.08.28