1.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一包括至少两个引线键合部的绝缘层；
将至少一电子元件贴装在所述绝缘层以使所述电子元件与所述引线键合部电气连接；
将贴装有电子元件的绝缘层粘接在一封装框架上；
通过键合引线将所述引线键合部与至少一个外接引脚电气连接；
对位于所述封装框架上的绝缘层以及位于所述绝缘层上的电子元件进行封装处理以形成露出所述外接引脚的封装结构。
2.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述将至少一电子元件贴装在所述绝缘层的步骤包括：
提供一第一尺寸的绝缘板材，所述第一尺寸绝缘板材的第一表面预设有多个分区，各所述分区包括至少两个引线键合部；
将至少一电子元件贴装在所述第一尺寸绝缘板材预设有的每一个分区以使所述电子元件与所述分区内的引线键合部电气连接；
依据所述分区对所述第一尺寸绝缘板材进行切割处理形成多个第二尺寸的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述依据所述分区对所述第一尺寸绝缘板材进行切割处理的步骤还包括对所述第一尺寸绝缘板材的第二表面进行预先整板贴膜的步骤。
4.根据权利要求1或2所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述将至少一电子元件贴装在所述绝缘层的步骤包括：利用导电胶水粘接将所述至少一电子元件贴装在所述绝缘层上或者通过SMT贴装工艺将所述至少一电子元件贴装在所述绝缘层上。
5.根据权利要求1、2或3所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述绝缘层包括FPC板材、PCB板材、或陶瓷板材。
6.根据权利要求5所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述FPC板材或PCB板材上布设有一个或多个功能电路。
7.根据权利要求1、2或3所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述引线键合部为金属焊盘。
8.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述将贴装有电子元件的绝缘层粘接在一封装框架上的步骤包括：利用粘贴工艺或共晶工艺将所述绝缘层在所述封装框架的第一表面，其中，所述粘贴工艺的粘贴材料包括导电胶水、绝缘胶水、焊料、或DAF膜。
9.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述对位于所述封装框架上的绝缘层以及位于所述绝缘层上的电子元件进行封装处理的步骤包括：利用半导体塑封材料将对位于所述封装框架上的绝缘层以及位于所述绝缘层上的电子元件进行灌胶处理以形成露出所述外接引脚的封装结构。
10.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述电子元件为被动元件或主动元件，其中，所述被动元件包括电容、电阻、或电感，所述主动元件包括存储器芯片、射频芯片、CPU芯片、DPS芯片、MOS管、BJT管、IGBT、三极管、或二极管。
11.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述封装框架包括第一器件区及与所述第一器件区空间隔离的第二器件区，所述将贴装有电子元件的绝缘层粘接在一封装框架上，以及通过键合引线将所述引线键合部与至少一个外接引脚电气连接的步骤包括：
将贴装有电子元件的绝缘层粘接在所述封装框架的第一器件区以及将一主动元件粘接在所述封装框架的第二器件区；所述主动元件包括存储器芯片、射频芯片、CPU芯片、DPS芯片、MOS管、BJT管、IGBT、三极管、或二极管；
通过键合引线将所述引线键合部与所述外接引脚和/或与所述主动元件电气连接。
12.根据权利要求11所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述将一主动元件粘接在所述封装框架的第二器件区的步骤包括：利用粘贴工艺或共晶工艺主动元件粘接在所述封装框架的第二器件区，其中，所述粘贴工艺的粘贴材料包括绝缘胶水或DAF膜。
13.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一包括至少两个引线键合部的绝缘层；
将所述绝缘层粘接在一封装框架上；
将至少一电子元件贴装在所述绝缘层上以使所述电子元件与所述引线键合部电气连接；
通过键合引线将所述引线键合部与外接引脚电气连接；
对位于所述封装框架上的绝缘层以及位于所述绝缘层上的电子元件进行封装处理以形成露出所述外接引脚的封装结构。
14.根据权利要求13所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述提供一包括至少两个引线键合部的绝缘层的步骤包括：
提供一第一尺寸的绝缘板材，所述第一尺寸绝缘板材的第一表面预设有多个分区，各所述分区包括至少两个引线键合部；
依据所述分区对所述第一尺寸绝缘板材进行切割处理形成多个第二尺寸的绝缘层。
15.根据权利要求14所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述依据所述分区对所述第一尺寸绝缘板材进行切割处理的步骤还包括对所述第一尺寸绝缘板材的第二表面进行预先整板贴膜的步骤。
16.根据权利要求13、14、或15所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述绝缘层包括FPC板材、PCB板材、或陶瓷板材。
17.根据权利要求16所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述FPC板材或PCB板材上布设有一个或多个功能电路。
18.根据权利要求13、14、或15所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述引线键合部为金属焊盘。
19.根据权利要求13所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述将至少一电子元件贴装在所述绝缘层的步骤包括：利用导电胶水将所述至少一电子元件贴装在所述绝缘层上或者通过SMT贴装工艺将所述至少一电子元件贴装在所述绝缘层上。
20.根据权利要求13所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述将所述绝缘层粘接在一封装框架上的步骤包括：利用粘贴工艺或共晶工艺将所述绝缘层粘接在所述封装框架的第一表面，其中，所述粘贴工艺的粘贴材料包括导电胶水、绝缘胶水、焊料、或DAF膜。
21.根据权利要求13所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述对位于所述封装框架上的绝缘层以及位于所述绝缘层上的电子元件进行封装处理的步骤包括：利用半导体塑封材料将对位于所述封装框架上的绝缘层以及位于所述绝缘层上的电子元件进行灌胶处理以形成露出所述外接引脚的封装结构。
22.根据权利要求13所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述电子元件为被动元件或主动元件，其中，所述被动元件包括电容、电阻、或电感，所述主动元件包括存储器芯片、射频芯片、CPU芯片、DPS芯片、MOS管、BJT管、IGBT、三极管、或二极管。
23.根据权利要求13所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述封装框架包括第一器件区及与所述第一器件区空间隔离的第二器件区，所述将所述绝缘层粘接在一封装框架上；将至少一电子元件贴装在所述绝缘层上以使所述电子元件与所述引线键合部电气连接；以及通过键合引线将所述引线键合部与所述外接引脚电气连接的步骤包括：
将绝缘层粘接在所述封装框架的第一器件区以及将一主动元件粘接在所述封装框架的第二器件区；所述主动元件包括存储器芯片、射频芯片、CPU芯片、DPS芯片、MOS管、BJT管、IGBT、三极管、或二极管；
将至少一电子元件贴装在所述绝缘层上以使所述电子元件与所述引线键合部电气连接；
通过键合引线将所述引线键合部与所述外接引脚和/或与所述主动元件电气连接。
24.根据权利要求23所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述将一主动元件粘接在所述封装框架的第二器件区的步骤包括：利用粘贴工艺或共晶工艺主动元件粘接在所述封装框架的第二器件区，其中，所述粘贴工艺的粘贴材料包括绝缘胶水或DAF膜。
25.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
封装体，设置有多个外接引脚用于与外部电气连接；
封装框架，设置于所述封装体上，包括封装于所述封装体内的第一表面以及外露于所述封装体的第二表面；
绝缘层，粘接在所述封装框架的第一表面上，包括至少两个引线键合部，所述引线键合部通过键合引线与所述外接引脚电气连接；
电子元件，贴装在所述绝缘层上，其输入端及输出端分别通过导电介质与所述绝缘层的引线键合部电气连接。
26.根据权利要求25所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装体为半导体塑封材料。
27.根据权利要求25所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装框架为金属框架或陶瓷框架。
28.根据权利要求25所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘层包括FPC板材、PCB板材、或陶瓷板材。
29.根据权利要求28所述的半导体封装结构，其特征在于，所述FPC板材或PCB板材上布设有一个或多个功能电路。
30.根据权利要求25、28、或29所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合部为金属焊盘。
31.根据权利要求25所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘层藉由粘贴工艺或共晶工艺设置在所述封装框架的第一表面，其中，所述粘贴工艺的粘贴材料包括导电胶水、绝缘胶水、焊料、或DAF膜。
32.根据权利要求25所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电子元件藉由导电胶水粘接在所述绝缘层上或者通过SMT贴装工艺焊接在所述绝缘层上。
33.根据权利要求25所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电子元件为被动元件或主动元件，其中，所述被动元件包括电容、电阻、或电感，所述主动元件包括存储器芯片、射频芯片、CPU芯片、DPS芯片、MOS管、BJT管、IGBT、三极管、或二极管。
34.根据权利要求25所述的半导体封装结构，其特征在于，所述封装框架的第一表面包括封装于所述封装体的第一器件区及与所述第一器件区空间隔离的第二器件区，所述电子元件设置在所述第一器件区，所述第二器件区上设置有主动元件，所述主动元件通过键合引线与所述外接引脚和/或所述引线键合部电气连接，所述主动元件包括存储器芯片、射频芯片、CPU芯片、DPS芯片、MOS管、BJT管、IGBT、三极管、或二极管。
35.根据权利要求34所述的半导体封装结构，其特征在于，所述主动元件藉由粘贴工艺或共晶工艺设置在所述封装框架的第一表面，其中，所述粘贴工艺的粘贴材料包括绝缘胶水或DAF膜。