1.一种纳米间隙电极，其特征在于，包括：
第一电极，所述第一电极包括第一电极层和第一金属粒子，所述第一金属粒子配置在所述第一电极层的一个端部上；以及
第二电极，所述第二电极包括第二电极层和第二金属粒子，所述第二金属粒子配置在所述第二电极层的一个端部上，
所述第一金属粒子与所述第二金属粒子之间具有间隙、且所述第一金属粒子与所述第二金属粒子相对地配置，
所述第一金属粒子的一端至另一端的宽度以及所述第二金属粒子的一端至另一端的宽度小于等于20nm，
所述第一金属粒子与所述第二金属粒子之间的间隙的长度小于等于10nm。
2.根据权利要求1所述的纳米间隙电极，其特征在于，
在所述第一电极的表面上，除了包括有所述第一金属粒子之外，还包括有多个其它金属粒子，在所述第二电极的表面上，除了包括有所述第二金属粒子之外，还包括有多个其它金属粒子，
在所述第一电极的表面上，所述第一金属粒子与所述多个其它金属粒子非相互接触而分离，在所述第二电极的表面上，所述第二金属粒子与所述多个其它金属粒子非相互接触而分离。
3.根据权利要求1或2所述的纳米间隙电极，其特征在于，
所述第一金属粒子和所述第二金属粒子为半球状。
4.根据权利要求1或2所述的纳米间隙电极，其特征在于，
用于形成所述第一电极层和所述第二电极层的第一金属的表面自扩散系数比用于形成所述第一金属粒子和所述第二金属粒子的第二金属的表面自扩散系数小。
5.根据权利要求4所述的纳米间隙电极，其特征在于，
位于所述第一金属与所述第二金属之间存在金属键合的表面上的所述第二金属的表面自扩散系数比第二金属的表面自扩散系数小。
6.根据权利要求4所述的纳米间隙电极，其特征在于，
所述第一金属与所述第二金属是形成合金的组合。
7.根据权利要求6所述的纳米间隙电极，其特征在于，
所述第一金属粒子以及所述第二金属粒子是所述第一金属与所述第二金属的固溶体。
8.根据权利要求4所述的纳米间隙电极，其特征在于，
所述第一金属为铂，所述第二金属为金。
9.根据权利要求4所述的纳米间隙电极，其特征在于，
所述第一电极层和所述第二电极层包括设置在绝缘表面上的钛层和位于该钛层上的铂层。
10.根据权利要求1所述的纳米间隙电极，其特征在于，
所述第一电极层的所述一个端部的宽度和所述第二电极层的所述一个端部的宽度小于等于20nm。
11.根据权利要求1所述的纳米间隙电极，其特征在于，
所述第一电极层的一个端部的膜厚和所述第二电极层的一个端部的膜厚小于等于20nm。
12.一种纳米间隙电极的制造方法，其特征在于，所述纳米间隙电极的制造方法包括：
在具有绝缘表面的基板上形成第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层各自的一端以相互之间具有间隙且相对地形成；以及
将形成有所述第一电极层和所述第二电极层的基板浸渍在化学镀液中，以分别在所述第一电极层的至少前端部分以及所述第二电极层的至少前端部分形成金属粒子，所述化学镀液为在含有金属离子的电解液中混入有还原剂的化学镀液，
使形成所述第一电极层及所述第二电极层的金属与所述化学镀液中所含的金属进行金属键合，并使所述金属粒子的一端至另一端的宽度生长为小于等于10nm的大小，将所述第一电极层的前端所形成的金属粒子与所述第二电极层的前端所形成的金属粒子之间的间隙的长度形成为小于等于10nm。
13.根据权利要求12所述的纳米间隙电极的制造方法，其特征在于，
在所述第一电极层的表面和所述第二电极层的表面上离散地形成多个金属粒子。
14.根据权利要求12或13所述的纳米间隙电极的制造方法，其特征在于，
将所述金属粒子形成为半球状。
15.根据权利要求12或13所述的纳米间隙电极的制造方法，其特征在于，
所述第一电极层和所述第二电极层由铂制成，用含有金离子的化学镀液进行化学镀。
16.根据权利要求15所述的纳米间隙电极的制造方法，其特征在于，
所述金属粒子以铂与金的固溶体形成。
17.根据权利要求12所述的纳米间隙电极的制造方法，其特征在于,
将所述第一电极层的一个端部的宽度和所述第二电极层的一个端部的宽度形成为小于等于20nm。
18.根据权利要求12所述的纳米间隙电极的制造方法，其特征在于，
将所述第一电极层的一个端部的膜厚和所述第二电极层的一个端部的膜厚形成为小于等于20nm。
19.根据权利要求12所述的纳米间隙电极的制造方法，其特征在于，
在将形成有所述第一电极层和所述第二电极层的基板浸渍在所述化学镀液中之前，利用酸对所述第一电极层的表面和所述第二电极层的表面进行处理。
20.一种纳米器件，其特征在于，所述纳米器件包括：
第一电极，所述第一电极包括第一电极层和第一金属粒子，所述第一金属粒子配置在所述第一电极层的一个端部上；
第二电极，所述第二电极包括第二电极层和第二金属粒子，所述第二金属粒子配置在所述第二电极层的一个端部上；以及
金属纳米粒子或功能分子，
所述第一电极与所述第二电极以所述第一金属粒子与所述第二金属粒子相对的方式配置，并具有间隙，
所述金属纳米粒子或所述功能分子配置在所述第一金属粒子与所述第二金属粒子之间的间隙中，
所述第一金属粒子以及所述第二金属粒子的一端至另一端的宽度小于等于10nm，
所述第一金属粒子与所述第二金属粒子之间的间隙的长度小于等于10nm。
21.根据权利要求20所述的纳米器件，其特征在于，
所述纳米器件包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一电极的上方和所述第二电极的上方，并且嵌入有所述金属纳米粒子或所述功能分子。
22.根据权利要求21所述的纳米器件，其特征在于，
所述纳米器件包括被所述绝缘层覆盖的第三电极，所述第三电极与所述第一金属粒子与所述第二金属粒子之间的间隙部相邻，并与所述第一金属粒子和所述第二金属粒子绝缘地配置。
23.根据权利要求22所述的纳米器件，其特征在于，
所述纳米器件包括被所述绝缘层覆盖的第四电极，所述第四电极与所述第一金属粒子与所述第二金属粒子之间的间隙部相邻，并与所述第一金属粒子和所述第二金属粒子绝缘，所述第四电极与所述第三电极相对地配置。
24.根据权利要求23所述的纳米器件，其特征在于，
所述纳米器件包括第五电极，所述第五电极在所述绝缘层上与所述金属纳米粒子或功能分子重叠。
25.根据权利要求20所述的纳米器件，其特征在于，
所述纳米器件配置有卤素离子来代替金属纳米粒子或功能分子。
26.根据权利要求23所述的纳米器件，其特征在于，
所述第三电极和所述第四电极中的一者用作浮栅电极，以用于控制所述金属纳米粒子或功能分子的电荷状态。
27.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路的半导体基板上设置有根据权利要求20至26中任一项所述的纳米器件、以及电子器件。