1.一种鳍式场效应晶体管，其特征是，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成有多个鳍；其中多个鳍的第一子集由半导体材料组成，并且其中多个鳍的第二子集由介电材料组成；其中多个鳍的第二子集由氮化硅构成并且与多个鳍的第一子集交错；
并且其中来自多个鳍的第一子集的鳍组与外延生长的半导体材料合并，并且其中来自多个鳍的第一子集的至少一组鳍与n掺杂外延生长的半导体材料合并，并且其中来自多个鳍的第一子集中的至少另一组鳍与p型掺杂的外延生长的半导体材料合并。
2.一种鳍式场效应晶体管，其特征是，包括：半导体衬底；绝缘体层，设置在半导体衬底上；多个鳍片设置在绝缘体层上；其中多个鳍的第一子集由半导体材料组成，并且其中多个鳍的第二子集由介电材料组成；其中多个鳍的第二子集由氮化硅构成并且与多个鳍的第一子集交错；和其中来自多个鳍的第一子集的鳍组与外延生长的硅合并，并且其中来自多个鳍的第一子集的至少一组鳍与n掺杂外延生长的硅合并，并且其中将来自多个鳍的第一子集中的至少另一组鳍与p型掺杂的外延生长的硅合并。
3.根据权利要求2所述半导体结构上的多个半导体鳍的子集转换为介电鳍的方法，其特征是，所述方法包括：掩蔽所述多个鳍的第一子集；将所述多个鳍的第二子集保留为未掩蔽的鳍；以及将气体簇离子束施加到所述未掩蔽的鳍，以将所述未掩蔽的鳍转换为介电鳍。