，在变型例中，遮光膜33在像素分离沟槽IlA和绝缘分离沟槽IlB中延伸。因此，除了上述变型例的效果以外，还能够获得这样的效果:抑制了相邻像素P之间的光学混色的发生。
[0106]应注意，变型例也可以应用于上述的第一和第二实施例。换言之，在像素分离沟槽IlA和绝缘分离沟槽IlB中没有设置固定电荷膜16的情况下，通过使遮光膜33在像素分离沟槽IlA和绝缘分离沟槽IlB中延伸，能够获得与本变型例相同的效果。
[0107]<5.变型例 3>
[0108]图16A和图16B图示了根据变型例3的摄像器件7A和7B的截面构造。根据上述实施例等的摄像器件I至6还可以包括像素分离沟槽IlA和绝缘分离沟槽IlB中的空气间隙G。可以通过高沉积速度的CVD (化学气相沉积)或通过溅射来形成像素分离沟槽IlA和绝缘分离沟槽IlB中的空气间隙G。
[0109]如上所述，除了上述实施例等的效果以外，还能够获得这样的效果:通过在每个沟槽中设置空气间隙G，增大了折射率的差值，并且获得更高的反射功能。
[0110]〈6.变型例 4>
[0111]图17图示了根据上述的第一实施例等的变型例4的摄像器件8的截面构造。类似于上述的实施例等，根据本变型例的摄像器件8是背面照射型摄像器件。摄像器件8是层叠型摄像器件，其中，第一半导体芯片81和第二半导体芯片82彼此电连接以构成一个半导体芯片。第一半导体芯片81装载着受光区域IlOA和控制电路。第二半导体芯片82装载着含有信号处理电路的逻辑电路。如图17所示，本发明的实施例可以适用于这样的层叠型摄像器件。
[0112]〈7.应用例〉
[0113]根据如上所述第一、第二实施例和变型例I至4的摄像器件I至8可以被搭载在例如相机系统(诸如数码相机或摄像机等)和移动电话等以各种类型的具有拍照功能的电子装置上。作为示例，图18图示了相机(电子装置)的总体构造。电子装置9例如是能够拍摄静态图像或动态图像的摄像机。电子装置9包括摄像器件(例如，摄像器件I)、光学系统(光学透镜)310、快门器件311、信号处理部312和驱动部313。
[0114]光学系统310被构造用来将来自被摄物体的图像光(入射光)引导向摄像器件I的像素区域la。光学系统310可以包括多个光学透镜。快门器件311被构造用来控制关于摄像器件I的光照期间和遮光期间。驱动部313被构造用来控制快门器件311的快门操作和摄像器件I的传输操作。信号处理部312被构造用来对从摄像器件I输出的信号进行各种类型的信号处理。信号处理后的图画信号Dout可以例如存储在诸如存储器等记录介质中或输出至监视器等。
[0115]尽管已经通过给出第一、第二实施例和变型例I至4进行了说明，但是本发明的内容不限于上述的实施例等，且可以以各种方式进行修改。例如，尽管在上述的实施例等中已经以ro 12形成在半导体基板Ii的背面(光入射面)侧的情况作为示例，但是ro 12可以设置在半导体基板Ii的前面侧，即，设置于半导体基板11与配线层20之间。应注意，在这种情况下，具有宽禁带宽度的第二区域12B也可以优选设置在光入射面侧。
[0116]此外，在受光部10与聚光部30的滤色器34之间可以设置有内部透镜(未图示)。
[0117]此外，不必包括上述实施例等所述的所有构成元件,并且还可以包括上述元件以外的一个或多个元件。
[0118]应注意，本说明书中所述的效果仅是示例性的而不是限制性的，还可以显示出其它效果。
[0119]根据本发明的上述示例性实施例，能够实现至少下面的构造。
[0120](I) 一种摄像器件，其包括:
[0121]第一沟槽，所述第一沟槽设置在半导体基板的受光区域内的多个像素之间，所述半导体基板包括周边区域和所述受光区域，所述受光区域设置有均含有光电转换部的所述多个像素；和
[0122]第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体基板的所述周边区域内，
[0123]其中，所述半导体基板的设置有所述第一沟槽的部分的厚度与所述半导体基板的设置有所述第二沟槽的部分的厚度不同。
[0124](2)根据(I)所述的摄像器件，其中，在所述半导体基板中，设置有所述第二沟槽的部分的厚度小于设置有所述第一沟槽的部分的厚度。
[0125](3)根据(I)或(2)所述的摄像器件，还包括挖入部，所述挖入部设置在所述半导体基板的一个表面或两个表面的面对着所述第二沟槽的区域内。
[0126](4)根据(I)至(3)中任一项所述的摄像器件，其中，所述第一沟槽分离所述多个像素中各像素的所述光电转换部。
[0127](5)根据⑴至(4)中任一项所述的摄像器件，还包括设置在所述周边区域内的外部连接电极，
[0128]其中，所述第二沟槽设置在所述外部连接电极的周围。
[0129](6)根据(3)至(5)中任一项所述的摄像器件，其中，所述挖入部填充有绝缘材料。
[0130](7)根据(I)至￠)中任一项所述的摄像器件，其中，所述第二沟槽穿透所述半导体基板。
[0131](8) 一种摄像器件的制造方法，所述方法包括如下步骤:
[0132]在半导体基板的一个表面的周边区域内设置挖入部，所述半导体基板包括受光区域和所述周边区域，所述受光区域设置有均含有光电转换部的多个像素；并且
[0133]在所述半导体基板的另一个表面设置第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽设置在所述受光区域内，所述第二沟槽设置在所述周边区域的面对着所述挖入部的位置处。
[0134](9)根据(8)所述的摄像器件的制造方法，其中，通过两级蚀刻形成所述挖入部。
[0135](10)根据(8)或(9)所述的摄像器件的制造方法，还包括步骤:在设置所述挖入部作为第一挖入部之后，设置第二挖入部，所述第二挖入部设置在所述半导体基板的所述另一个表面的面对着所述第一挖入部的位置处。
[0136](11)根据(9)或(10)所述的摄像器件的制造方法，还包括步骤:将绝缘材料嵌入到所述挖入部中。
[0137](12) 一种设置有摄像器件的电子装置，所述摄像器件是如⑴至(7)中任一项所述的摄像器件。
[0138]本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明随附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合以及改变。
[0139]相关申请的交叉参考
[0140]本申请主张享有于2013年10月11日提交的日本优先权专利申请JP2013-213645的权益，并将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
【主权项】
1.一种摄像器件，其包括: 第一沟槽，所述第一沟槽设置在半导体基板的受光区域内的多个像素之间，所述半导体基板包括周边区域和所述受光区域，所述受光区域设置有均包括光电转换部的所述多个像素；和 第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体基板的所述周边区域内， 其中，所述半导体基板的设置有所述第一沟槽的部分的厚度与所述半导体基板的设置有所述第二沟槽的部分的厚度不同。
2.根据权利要求1所述的摄像器件，其中，在所述半导体基板中，设置有所述第二沟槽的部分的厚度小于设置有所述第一沟槽的部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的摄像器件，还包括挖入部，所述挖入部设置在所述半导体基板的一个表面或两个表面的面对着所述第二沟槽的区域内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述第一沟槽分离所述多个像素中各像素的所述光电转换部。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，还包括设置在所述周边区域内的外部连接电极， 其中，所述第二沟槽设置在所述外部连接电极的周围。
6.根据权利要求3所述的摄像器件，其中，所述挖入部填充有绝缘材料。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述第二沟槽穿透所述半导体基板。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，所述摄像器件的遮光膜在所述第一沟槽和所述第二沟槽中延伸。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的摄像器件，其中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成有空气间隙。
10.一种摄像器件的制造方法，所述方法包括如下步骤: 在半导体基板的一个表面的周边区域内设置挖入部，所述半导体基板包括受光区域和所述周边区域，所述受光区域设置有均包括光电转换部的多个像素；并且 在所述半导体基板的另一个表面设置第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽设置在所述受光区域内，所述第二沟槽设置在所述周边区域的面对着所述挖入部的位置处。
11.根据权利要求10所述的摄像器件的制造方法，其中，通过两级蚀刻形成所述挖入部。
12.根据权利要求10或11所述的摄像器件的制造方法，还包括步骤:在设置所述挖入部作为第一挖入部之后，设置第二挖入部，所述第二挖入部设置在所述半导体基板的所述另一个表面的面对着所述第一挖入部的位置处。
13.根据权利要求11所述的摄像器件的制造方法，还包括步骤:将绝缘材料嵌入到所述挖入部中。
14.一种设置有摄像器件的电子装置，所述摄像器件是如权利要求1至9中任一项所述的摄像器件。
【专利摘要】本发明公开了摄像器件及其制造方法和电子装置。所述摄像器件包括：第一沟槽，所述第一沟槽设置在半导体基板的受光区域内的多个像素之间，所述半导体基板包括周边区域和所述受光区域，所述受光区域设置有均含有光电转换部的所述多个像素；和第二沟槽，所述第二沟槽设置在所述半导体基板的周边区域内，其中，所述半导体基板的设置有所述第一沟槽的部分的厚度与所述半导体基板的设置有所述第二沟槽的部分的厚度不同。所述电子装置设置有所述摄像器件。根据本发明，能够在保持聚焦特性的同时减少工序的数量。
【IPC分类】H01L27-146
【公开号】CN104576669
【申请号】CN201410521129
【发明人】佐藤信也
【申请人】索尼公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年9月30日
【公告号】US20150102448