可挠式元件及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种可挠式元件及其制造方法。
【背景技术】
[0002]目前，可挠式元件的制作方式，通常是在一玻璃基板上涂抹塑胶溶液并将其固化以形成一可挠式基板，或是直接在玻璃基板上粘合一层可挠式基板。接着，在可挠式基板上制作所需要的电子元件，以形成可挠式元件。
[0003]电子元件以薄膜晶体管层为例，一般而言，薄膜晶体管的制作过程温度可能高达600度。然而，可挠式基板例如是聚亚酰胺(PI)、乙烯对苯二甲酸酯(PET)或聚乙烯(PEN)等的材料，其玻璃转化温度通常仅在300度至400度上下，较难承受上述的高温制作过程。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种可挠式元件及其制造方法，其可避免可挠式基板在制造的过程中发生变质或是熔化的状况。
[0005]本发明的一种可挠式元件的制造方法，包括下列步骤，首先，提供一硬质基板。接着，形成一离型层在硬质基板上。再来，形成一缓冲层在离型层上。接着，形成一电子元件在缓冲层上。再来，通过离型层将缓冲层以及电子元件自硬质基板上分离。最后，将一第一可挠式基板形成在缓冲层以及电子元件上，其中缓冲层位于电子元件与第一可挠式基板之间。
[0006]在本发明的一实施例中，上述形成离型层在硬质基板上的方法包括使离型层覆盖硬质基板的一表面。
[0007]在本发明的一实施例中，上述形成离型层在硬质基板上的方法包括使离型层覆盖硬质基板的一表面的一第一区。
[0008]在本发明的一实施例中，上述形成缓冲层的方法包括使缓冲层覆盖在位在第一区的离型层，并且延伸至表面的一第二区以覆盖在硬质基板。
[0009]在本发明的一实施例中，上述通过离型层将缓冲层以及电子元件自硬质基板上分离之前，还进一步切除基板的第二区以及位于第二区的缓冲层。
[0010]在本发明的一实施例中，上述将第一可挠式基板形成缓冲层以及电子元件上的方法包括:涂布一胶层在缓冲层的远离电子元件的一侧；以及贴附第一可挠式基板至胶层。[0011 ] 在本发明的一实施例中，上述将第一可挠式基板形成缓冲层以及电子元件上的方法包括:涂布一塑胶溶液在缓冲层的远离电子元件的一侧；以及固化塑胶溶液以形成第一可挠式基板。
[0012]在本发明的一实施例中，还包括在将第一可挠式基板形成缓冲层以及电子元件上之后，形成一显示元件至电子元件上。
[0013]在本发明的一实施例中，还包括配置一第二可挠式基板在显示元件的远离电子元件的一侧。
[0014]在本发明的一实施例中，上述显示元件包括有机发光二极管(Organic lightemitting d1de,简称 OLED)、电泳显不器(Eletrophoretic Display,简称 EPD)、电湿润显不器(Electrowetting Display,简称EWD)或液晶显不器(Liquid Crystal Display,简称LCD)。
[0015]在本发明的一实施例中，上述离型层的材料包括片状六方结构的无机材料。
[0016]在本发明的一实施例中，上述离型层的材料包括硫化镉微纳米材料、氢氧化镁纳米材料、片状六方结构银、氮化硼、云母或滑石。
[0017]在本发明的一实施例中，上述离型层以涂布或是喷洒的方式形成在硬质基板上。
[0018]在本发明的一实施例中，上述离型层的材料的玻璃转化温度高于600°C。
[0019]在本发明的一实施例中，上述缓冲层包括氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或其组八口 ο
[0020]在本发明的一实施例中，上述第一可挠式基板包括一超薄玻璃、一塑胶膜或一不锈钢层。
[0021 ] 在本发明的一实施例中，上述硬质基板为一玻璃基板、一陶瓷基板或一硬质塑胶基板。
[0022]本发明提供一种可挠式元件，包括一第一可挠式基板、一缓冲层及一电子元件。缓冲层配置在第一可挠式基板上。电子元件配置在缓冲层上。
[0023]在本发明的一实施例中，还包括一离型层，位于第一可挠式基板与缓冲层之间，离型层的材料包括片状六方结构的无机材料。
[0024]在本发明的一实施例中，上述离型层不均匀地分布于第一可挠式基板与缓冲层之间。
[0025]在本发明的一实施例中，上述离型层的材料包括硫化镉微纳米材料、氢氧化镁纳米材料、片状六方结构银、氮化硼、云母或滑石。
[0026]在本发明的一实施例中，上述离型层的材料的玻璃转化温度高于600°C。
[0027]在本发明的一实施例中，上述缓冲层包括氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或其组八口 ο
[0028]在本发明的一实施例中，还包括一显示元件,配置在电子元件上。
[0029]在本发明的一实施例中，还包括一第二可挠式基板，配置在显示元件上。
[0030]在本发明的一实施例中，还包括一胶层，配置在第一可挠式基板与缓冲层之间。
[0031]在本发明的一实施例中，上述电子元件包括多个薄膜晶体管层或是多个触控元件。
[0032]在本发明的一实施例中，上述显示元件包括有机发光二极管(Organic lightemitting d1de,简称 0LED)、电泳显不器(Eletrophoretic Display,简称 EPD)、电湿润显不器(Electrowetting Display,简称EWD)或液晶显不器(Liquid Crystal Display,简称LCD)。
[0033]在本发明的一实施例中，上述第一可挠式基板包括一超薄玻璃、一塑胶膜或一不锈钢层。
[0034]基于上述，本发明的可挠式元件及其制造方法，利用可耐高温的硬质基板作为支撑的基板，先在硬质基板上形成离型层，接着在离型层上形成缓冲层。在缓冲层上完成高温的电子元件的制备之后，通过离型层可轻易地将缓冲层与电子元件脱离于硬质基板，其后将可挠式基板配置在缓冲层与电子元件上，以制作出可挠式元件。由于可挠式基板在电子元件之后才形成在缓冲层与电子元件上，可避免不耐高温的可挠式基板在电子元件的高温制作过程时发生熔化的状况。
[0035]为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0036]图1A至图1F是依照本发明的一实施例的一种可挠式元件的制造方法的流程示意图；
[0037]图1G是图1A至图1F的可挠式元件的制造方法的步骤示意图；
[0038]图2A至图21是依照本发明的另一实施例的一种可挠式元件的制造方法的流程示意图；
[0039]图2J是图2A至图21的可挠式元件的制造方法的步骤示意图。
[0040]附图标记说明:
[0041]11 ?17、21 ?29:步骤;
[0042]30:硬质基板；
[0043]32:表面；
[0044]34:第一区；
[0045]36:第二区；
[0046]100,200:可挠式元件；
[0047]100’:可挠式显示面板；
[0048]110、210:离型层；
[0049]120、220:缓冲层；
[0050]130、230:电子元件；
[0051]235、255:胶层；
[0052]140:第一可挠式基板；
[0053]150>250:显示元件；
[0054]240、260:可挠式基板。
【具体实施方式】
[0055]图1A至图1F是依照本发明的一实施例的一种可挠式元件的制造方法的流程示意图。图1G是图1A至图1F的可挠式元件的制造方法的步骤示意图。本实施例的可挠式元件的制造方法10，包括下列步骤，首先，请参阅图1A，提供一硬质基板30 (步骤11)。在本实施例中，硬质基板30为一玻璃基板，在其他实施例中，硬质基板30也可为一陶瓷基板或一不锈钢钢板等可耐高温材料。在本实施例中，由于在之后的步骤中会在硬质基板30上制作薄膜晶体管，因此，硬质基板30需要可以耐受薄膜晶体管制作过程的高温，例如硬质基板30可承受高于600°C的温度。当然，随着制作过程的不同，硬质基板30的材质以及耐温上限也可随之调整，并不以上述为限制，只要硬质基板30可以耐受后续的制作过程温度即可。
[0056]接着，形成一离型层110在硬质基板30上(步骤12)，在本实施例中，离型层110覆盖硬质基板30的整个表面32。离型层110的材料包括片状六方结构的无机材料，例如是硫化镉微纳米材料、氢氧化镁纳米材料、片状六方结构银、氮化硼、云母或滑石。
[0057]举例而言，离型层110的材料可选用六角片状的硫化镉的微纳米材料，其粒径为微米级，