一种阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的不断发展，发光二极管(Light Emitting D1de，LED)、有机发光二极管(Organic Light Emitting D1de, OLED)及等离子显不器(Plasma DisplayPanel, PDP)等平板显示器发展迅速。
[0003]目前，窄边框甚至无边框是现有的显示领域的发展趋势。下面以现有的OLED为例进行说明，OLED的阵列基板，如图1所示，包括:显示区域101和包围该显示区域101的外围区域102 ;其中，显示区域101内设置有用于显示的多个像素结构103，外围区域102内设置有用于对各像素结构103加载驱动信号的外围走线104，外围区域102的宽度为OLED的边框的宽度(如图1所示的a所示)。为了实现窄边框的设计，一般采用将栅极驱动电路整合于OLED的阵列基板上(Gate On Array,GOA)的技术，即在阵列基板的外围区域内形成栅极驱动电路。然而，整合于OLED的阵列基板上的栅极驱动电路仍然会占据一定的宽度，制约OLED的窄边框的发展。
[0004]因此，如何进一步地减小平板显示器的边框的宽度，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以进一步地减小平板显示器的边框的宽度。
[0006]因此，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括:衬底基板，以及位于所述衬底基板上的外围走线和多个像素结构；
[0007]至少一个所述像素结构在所述衬底基板的正投影与所述外围走线所在的外围区域在所述衬底基板的正投影具有重叠区域；
[0008]所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；或者，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧。
[0009]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:位于所述衬底基板上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线和多条栅线；各所述数据线和各所述栅线在所述衬底基板的正投影与所述外围走线在所述衬底基板的正投影互不重叠；
[0010]位于所述重叠区域以外的像素结构和与该像素结构对应的栅线和数据线中，相邻的两条数据线和相邻的两条栅线限定一个像素结构。
[0011 ] 在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板与所述像素结构所在膜层之间且在所述衬底基板上依次设置的与各所述像素结构对应的薄膜晶体管、第一钝化层、金属桥和第二钝化层；所述像素结构为有机电致发光结构；
[0012]与位于所述重叠区域内的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述金属桥电性连接，该金属桥通过贯穿所述第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接；
[0013]与位于所述重叠区域以外的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。
[0014]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧；所述阵列基板还包括:在所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧依次设置的第二钝化层、金属桥、第一钝化层和与各所述像素结构对应的薄膜晶体管；所述像素结构为有机电致发光结构；
[0015]与位于所述重叠区域内的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层的第一过孔与所述金属桥电性连接，该金属桥通过贯穿所述第二钝化层的第二过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接；
[0016]与位于所述重叠区域以外的有机电致发光结构对应的薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层的第三过孔与该有机电致发光结构中的阳极电性连接。
[0017]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:位于所述衬底基板上的交叉而置且相互绝缘的多条数据线和多条栅线；各所述数据线和各所述栅线在所述衬底基板的正投影与所述外围走线在所述衬底基板的正投影互不重叠；
[0018]每个所述像素结构沿所述栅线的延伸方向的宽度大于相邻的两条数据线之间的距离；和/或，每个所述像素结构沿所述数据线的延伸方向的宽度大于相邻的两条栅线之间的距离。
[0019]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板与所述像素结构所在膜层之间且在所述衬底基板上依次设置的与各所述像素结构对应的薄膜晶体管和第一钝化层；所述像素结构为有机电致发光结构；
[0020]各所述有机电致发光结构中的阳极通过所述第一钝化层中的第一过孔与对应的所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
[0021]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:在所述第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层；其中，
[0022]所述金属桥通过所述第一钝化层中的第一过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接，所述金属桥通过所述第二钝化层中的第二过孔与所述有机电致发光结构中的阳极电性连接。
[0023]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述外围走线所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧；所述阵列基板还包括:在所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧依次设置的第一钝化层和与各所述像素结构对应的薄膜晶体管；所述像素结构为有机电致发光结构；
[0024]各所述有机电致发光结构中的阳极通过所述第一钝化层中的第一过孔与对应的所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
[0025]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:在所述第一钝化层上依次设置的金属桥和第二钝化层；其中，
[0026]所述金属桥通过所述第一钝化层中的第一过孔与所述有机电致发光结构中的阳极电性连接，所述金属桥通过所述第二钝化层中的第二过孔与所述薄膜晶体管中的漏极电性连接。
[0027]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述金属桥的形状为条形；各所述金属桥位于与所述栅线相互平行的不同直线上。
[0028]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括:外围电路；
[0029]所述外围走线所在膜层与所述外围电路所在膜层位于所述像素结构所在膜层与所述衬底基板之间；或者，所述外围走线所在膜层与所述外围电路所在膜层位于所述像素结构所在膜层背向所述衬底基板的一侧。
[0030]本发明实施例还提供了一种显示面板，包括:本发明实施例提供的上述阵列基板。
[0031]在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述显示面板中，所述显示面板为有机电致发光显示面板。
[0032]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括:本发明实施例提供的上述显示面板。
[0033]本发明实施例提供的上述阵列基板、显示面板及显示装置，该阵列基板包括:衬底基板，以及位于衬底基板上的外围走线和多个像素结构；由于至少一个像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域具有重叠区域，即像素结构延伸至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，并且，由于外围走线所在膜层位于像素结构所在膜层与衬底基板之间或位于像素结构所在膜层背向衬底基板的一侧，这样，即使像素结构在衬底基板的正投影与外围走线所在的外围区域相互重叠也不会影响像素结构的正常显示，从而使得显示区域扩大至覆盖部分或全部外围走线所在的外围区域，与现有的显示区域与外围区域互不重叠的结构相比，可以使显示面板的边框的宽度变窄，甚至为无边框。
【附图说明】
[0034]图1为现有的有机电致发光显示面板的阵列基板的结构示意图；
[0035]图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
[0036]图3为